光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸

一种光刻装置，其包括：用于提供辐射投射光束的照明系统；物品支架，其用于在所述物品支架上支撑放置于所述辐射投射光束的光束路径中的扁平物品，该物品支架包括多个支撑突起，所述多个突起限定用于提供支架的平面的支撑区域；以及回填气馈送口，其包括设置在所述支撑区域中的回填气体排放区，用于在所述物品由所述物品支架支撑时将回填气体馈送到所述物品的后部，用以在所述物品和所述物品支架之间提供改进的热传导。根据本发明专利技术，所述回填气体排放区基本上围住所述支撑区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。更具体地，本专利技术涉及一种光刻装置，其包括用于提供辐射投射光束的照明系统；物品支架，用于在所述物品支架上支撑将要放置于所述辐射投射光束的射束路径中的扁平物品，该物品支架包括多个支撑突起，所述多个突起限定用于提供支架的平面的支撑区域；回填气馈送口，其包括设置在所述支撑区域中的回填气体排放区域，用于在物品由所述物品支架支撑时将回填气体馈送到所述物品的后部，用以在所述物品和所述物品支架之间提供改进的热传导。
技术介绍
光刻装置是一种将所需图案应用于基底目标部分上的装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置，如掩模可用于产生对应于IC的一个单独层的电路图案，该图案可以成像在具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯的部分)。一般地，单一的基底将包含相继曝光的相邻目标部分的网格。已知的光刻装置包括所谓步进器，其中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上而辐射每一目标部分，已知的光刻装置还包括所谓扫描器，其中，通过沿给定的方向(“扫描”方向)的投射光束扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一目标部分。在常规的光刻投影装置中，在光刻工艺过程中，物品，如晶片或分划板通过夹紧力夹紧在物品支架上，所述夹紧力的范围可以是真空压力、静电力、分子间结合力或仅仅是重力。物品支架以限定均匀平坦表面的多个突起的形式来限定一个平面，晶片或分划板保持在该平面上。这些突起高度的微小变化对图像分辨率有害，因为物品从理想平面定向的小偏转可能导致晶片旋转，以及因该旋转而产生的合成的重叠误差。此外，物品支架的这种高度变化可能导致由此支撑的物品的高度变化。在光刻工艺过程中，由于投影系统有限的焦距，这种高度变化可以影响图像分辨率。因此具有理想的平坦物品支架至关重要。欧洲专利申请EP0947884描述了一种具有基底保持器的光刻装置，其中设置突起来改进基底的平面度。这些突起具有一般为0.5mm的直径，并且通常以彼此相隔3mm的距离来定位，由此形成支撑基底的支撑部件的底座。突起的高度处于1mμm-15mμm的范围内。由于突起之间相对大的空间，因此可能存在的污染一般不会对基底的平面度形成障碍，因为它们位于突起之间且不会在局部提升基底。在本申请的范围内，所述“物品”可以是上述术语晶片、分划板、掩模或基底中的任一个，更具体的术语如-在采用光刻投影技术的制造设备中加工的基底；或者-在光刻投影装置、如掩模检查或清洁装置的掩模处理装置，或者掩模制造装置中的光刻投影掩模或掩模坯，或夹紧在辐射系统光路中的任何其他物品或光学元件。在光刻加工中，投射光束穿过在照明系统和被照射的物品之间存在的气体组分，特别是非同质的气体组分，可能产生不希望的影响，如衍射、折射和吸收。这些影响对照射质量有不利影响，特别是对于为成像性能不断增长的需求而要达到的所需分辨率有不利影响。新一代光刻，EUV-光刻利用在远紫外区的投射光束，因此在(接近)真空条件下工作，以便允许辐射投射光束基本上无阻地传送到放置于所述光束中的物品。关于这一点，术语真空压力与该环境中存在的特殊气体有关。例如，对于碳氢化合物和水，容许的本底压力非常低，在1e-9-1e-12毫巴的数量级。对于惰性气体来说，这种要求不太严格，例如对于Ar来说，容许的本底压力在1e-4毫巴-1e-2毫巴的范围，特别是1e-3毫巴的压力。此外，相关的本底压力可以根据装置的环境而改变。例如，当物品支架在晶片支架的环境中起作用时，对于某些部件的真空要求与在物品支架起到分划板支架作用的环境中的要求相比可以不那么严格。也就是说，对于污染物(如CxHy和H2O)的分压在光学分隔间(包括分划板支架)和晶片分隔间之间可相差因子100，且比总压力(通常数量是1e-9到1e-12毫巴)小得多。这种真空技术在温度控制方面提供了挑战。对于序言的物品支架，在支撑时，物品底部侧仅仅非常小的部分(在总面积0.1至3％的范围内)与物品支架实际物理接触，因为这些突起成形为仅仅提供非常小的接触面积，此外这些突起设置为以相对较宽的距离隔开。在所使用的真空压力范围内，热导率基本上与压力成比例，这表示当放置在投射光束中时，由物体吸收的热能不再充分地转移，因此物品支架不需要的受热导致热膨胀和最终的投影不精确或者可能使物品的损耗平均。为了克服这一问题，通常，使用所谓的回填气体，该气体提供从物品到物品支架的热传导，以转移由物品吸收的热能。当然，如果需要，物品支架进一步配有冷却装置，如具有冷却介质的冷却管道等。但是，为了将回填气体限制到物品的底部侧，常规的方法是提供所谓的“硬缘边”，这是一种边界壁，其通过在物品底部侧和物品支架的上部侧之间形成气封来基本上从真空密封回填气体。但是，已经发现，在照明性能方面，这种硬缘边产生许多问题。密封边缘的存在提供承载物品的附加支架。这种附加支架干扰物品的压力负荷，其可能导致物品的局部弯曲。这种弯曲引入物品表面的旋转，其可以引起不希望的重叠影响。此外，密封缘边在物品和物品支架之间提供几乎成倍增加的接触面积。这是不希望的，因为目的在于将这种接触面积减到最小，以便阻止污染物粒子进入接触区之间，产生支架的不平整性，以及物品相应的弯曲问题。此外，这种硬缘边的存在限定了物品明确的外部区域，该区域中不存在提供热导率的回填气体。这会在物品中局部过热或不希望的温度梯度方面产生其他问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种光刻装置，该装置克服了上述问题，并且其中提供不存在上述缺点的回填气体供应装置。这一目的通过根据权利要求1的特征部分的光刻装置来实现。更具体地，在包括物品支架的光刻物品中，其中回填气体排放区基本上围住所述支撑区域，提供回填气体排放，其中使选定位置，优选使沿支撑区域周界的所有位置处于预定的回填体气压力下。合成的回填气流在稳定态下充满围起的区域，因此在所述区域提供基本上恒定的回填气体压力，导致在所述区域中均匀的热导率性质。在一个优选实施例中，所述排放区域相对于所述物品和所述物品支架之间的气体流动阻力具有减少的气体流动阻力。例如，不仅朝向排放区的气体馈送通道而且环绕所述气体馈送通道的排出口的气体馈送区域，其形成气体排放区，可以设计为具有减小的流动阻抗，导致回填气体填充物品后部很短的等待时间。此外，优选地，所述排放区可以由同心的气体馈送槽形成。特别是，对于圆形支撑区域，所述排放区可以由接近于支撑区域周界的环形凹槽形成。所述环形凹槽形成一个在由物品支架支撑时由物品形成边界的槽。在可替换的实施例中或者在与此的结合中，所述排放区可以包括多个隔开的气体馈送口。特别是，所述隔开的气体馈送口可以由气体通道开口形成，所述气体通道开口形成接近支撑区域边界设置的规则的同心图案。优选地，为了减少填充时间，可以在相对于所述支撑区域的中心位置提供另一个回填气体排放区。围住所述支撑区域的所述回填气体排放区以及在相对于所述支撑区域的中心位置的所述另一个回填气体排放区可以通过气体流动通路或槽进行连接。此外，一般来说，在硬缘边结构中，物品延伸超过该硬缘边。因此，在这种结构中，在物品的边界区域中，因为缺乏回填气体而不提供热导率。在根据本专利技术的结构中，甚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，其包括：－照明系统，其用于提供辐射的投射光束；－物品支架，其用于在所述物品支架上支撑放置于所述辐射投射光束的射束路径中的扁平物品，该物品支架包括多个支撑突起，所述多个突起限定用于提供支架的平面的支撑区域；以及　 　－回填气馈送口，其包括设置在所述支撑区域中的回填气体排放区，用于在所述物品由所述物品支架支撑时将回填气体馈送到所述物品的后部，用以在所述物品和所述物品支架之间提供改进的热传导；其特征在于－所述回填气体排放区基本上围住所 述支撑区域。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：JJ奥坦斯，SNL唐德斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]