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奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司专利技术
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司共有665项专利
发射辐射的芯片和发射辐射的元件制造技术
本发明涉及一个发射辐射的芯片(2),该芯片具有:一个辐射能穿透的窗口(5),该窗口具有一个折射率n↓[F]和一个主面(19);一个多层结构(9),该多层结构含有一层产生辐射的有源层(10)并邻接窗口(5)的主面(19);和一种包围窗口(...
辐射构件及其引线框和壳体及带辐射构件的显示装置和/或照明装置制造方法及图纸
本发明描述一种用于一种可表面安装的辐射构件、最好是一个发光二极管构件的引线框,所述构件具有至少一个芯片连接部位和至少一个外部的连接条带,其中平坦地构成引线框,并且在芯片连接部位与外部的连接条带之间布置一个变形元件、最好是一个弹簧元件,所...
可表面安装的辐射构件与其制造方法技术
本发明描述一种辐射的可表面安装的构件,所述构件具有一个安装在一个引线框(10)上的发光二极管芯片(1),其中一种造型材料包封所述引线框(10)和发光二极管芯片(1)。
器件及其形成方法技术
公开了一种用于有机发光二极管(OLED)器件的封装。这种封装包括包围了OLED器件的单元区域以支撑封盖(260)的密封墙(280)。隔离颗粒(680)随机地分布在单元区域内,以防止封盖和有源元件相接触,从而保护了这些元件免受损坏。密封墙...
改进的有机发光器件密封的电子器件和其密封方法技术
本发明公开了增加诸如OLED器件的贮存有效期的技术,所述器件要求在不加大连接宽度的情况下气密封闭湿气和氧气。在一个实施例中,在不增加连接宽度的情况下,增加了湿气和氧气的渗透路径。这是通过在其上形成该器件组成部分的基底与盖之间采用槽形界面...
光电元件制造技术
本发明涉及光电元件,尤其是适于表面安装的光电元件。它包括一个壳体(2)、一个尤其安置在壳体的一凹槽(6)内的光电半导体芯片(3)、电接点(1A,1B),半导体芯片与所述电接点电连接。壳体(2)由包封材料且尤其是塑性材料构成,该材料填充有...
欧姆接触结构及其制造方法技术
本发明涉及一种具有布置在半导体材料(10)上的金属层(14)的欧姆接触结构,其中,在该半导体材料(10)中形成了一个接触层,该接触层具有一个紧靠金属层(14)的第一子区和一个布置在第一子区之后的第二子区(18)。该接触层是如此掺杂的,使...
电子器件的封装制造技术
披露一种用于器件的封装。分隔颗粒随机位于器件区域内以便防止安装在衬底上盖件与有效部件接触,由此防止它们损坏。分隔颗粒固定在衬底的一侧上以便防止任何运动。
用于光电子学的半导体芯片及其制造方法技术
半导体芯片,尤其是发射辐射的半导体芯片,它具有一个有源薄膜层(2)和一个用于薄膜层(2)的载体衬底(1),在该薄膜层中形成一个发射光子的区域(3),该衬底设置在薄膜层(2)的背对芯片辐射方向的那侧上并与该薄膜层连接。在有源薄膜层(2)中...
发光材料,可特别用于LED用途制造技术
公开了由Eu掺杂的、一般组成为MSi↓[2]O↓[2]N↓[2]的氧氮化物主体晶格组成的紫外-蓝光激发的绿光发光材料,其中M是选自Ca、Sr、Ba的至少一种碱土金属。
发光材料和使用它的发光二极管制造技术
一种UV-蓝可激发的发光材料,其由具有共同组成为MAl↓[2-x]Si↓[x]O↓[4-x]N↓[x]的掺杂Eu的氧氮化物主体晶格,其中M为选自Ca,Sr,Ba的至少一种碱土金属。
辐射元件的芯片引线架、辐射元件及其制造方法技术
本发明涉及一个芯片引线架(2)和一个外壳以及一个以此构成的元件及其制造方法。该芯片引线架具有一个支承部分,该支承部分包括至少一个引线连接区(10)和至少一个焊接连接条(3a,b),在该连接条中嵌入一个单独制造的热连接部分(4),这个热连...
光电子器件制造技术
光电子器件,具有一个基体或壳体(2)、至少一个布置在基体缺口中的光电子半导体芯片(3)、和一种在缺口中埋入至少一个半导体芯片的浇注材料(5),该浇注材料(5)由透明材料制成,其中,该透明的浇注材料(5)是漫散射地构成的,并尤其含有散射体...
有机发光二极管(OLED)及其制造方法技术
一层有机层(1)如此设置在一个透明载体(2)上;在该层内形成具有不同折射率的不同部分区域。由于该层内在相界处的偏转,所以由于波导损失而围在该层中的光子比在均匀的层中的要少。
发光二极管制造技术
一种发光二极管(1)在一个有源层(3)上面具有一个窗口层(4),该窗口层具有锯齿状异形结构的耦合输出桥(6),在耦合输出桥(6)上方延伸有边缘导线(11),通过这些导线将电流注入到有源层(3)中。发光二极管(1)的特征在于耦合输出效率特...
有机电致发光显示器及其制造方法和有源矩阵显示器技术
建议一种有机电致发光显示器,其中功能层(20)通过第一带状的板条(10)限定住,因而可以大面积地涂覆该功能层。该功能层位于一个基底(1)上的第一电极层(5A)上。在该功能层上是第二电极层(25A)。
具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法技术
发光二极管芯片(1),具有基于GaN的进行辐射的外延层序列,该外延层序列具有一个有源区、一个n掺杂层和一个p掺杂层。所述p掺杂层在其背向有源区的主面上设有进行反射的接触金属敷层(6),该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层(15)和一...
有机装置制造方法及图纸
公开了一种均匀沉积有机层的方法。由于有机层非常薄,对目标厚度的任何偏差都将导致可以看出的光缺陷。在有机层的下面提供对有机材料显示良好涂覆性能的均质层(275)。通过覆盖金属内部连接(205),减少或防止了对聚合物层均匀性的不良影响。
波长变化的反应性树脂材料和发光二极管元件制造技术
本发明涉及一种波长变换的反应性树脂材料(5),该反应性树脂材料添加有一种波长变换的发光物质(6)和一种触变剂,且该发光物质含有无机发光物质粒子。该触变剂至少部分以纳米粒子的形式存在。本发明提出了制备这种反应性树脂材料的方法和用这种反应性...
可表面安装的微型发光二极管或光电二极管以及它们的制造方法技术
本发明涉及一种可以表面安装的微型发光二极管,它具有一个有一引线框架(16)的芯片壳体和一个布置在运行线框架(16)上的并与之电接触的半导体芯片(22),该芯片含有一个有源的光发射部位,按照本发明这引线框架(16)由一种可以弯曲的多层分层...
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