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奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司专利技术
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司共有665项专利
用于制造多个光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片技术
本发明涉及一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法,所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件。在所述方法中,提供具有衬底和生长表面的芯片复合基底。未闭合的掩膜材料层在生长表面上这样生长,使得所述掩膜材料层包括多个...
发光薄膜半导体芯片制造技术
本发明公开了一种发光薄膜半导体芯片,其具有一个外延的多层结构(12),所述多层结构包含一个有源发光层(14),并具有一个第一主面(16)和一个背向该第一主面的、用于耦合输出在所述有源发光层内产生的辐射的第二主面(18)。另外,所述多层结...
辐射探测器制造技术
本发明涉及一种用于以预定的光谱灵敏度分布(14)探测辐射的辐射探测器,该灵敏度分布(14)在预定的波长λ↓[0]处具有灵敏度最大值,其中,辐射探测器优选地含有一种Ⅲ-Ⅴ半导体材料并且特别优选地包括至少一个半导体芯片(1)和至少一个被布置...
光电子模块及其制造方法技术
发明涉及一种光电子模块,它有一个基体元件、至少一个涂覆在基体元件上并导电连接的半导体器件,它用于发射或探测电磁辐射并具有一个辐射耦合面,以及至少一种光学装置,它配合于半导体器件。在辐射耦合面和光学装置之间设有一种由可透过辐射的可变形材料...
发射电磁辐射的光电子部件和发光模块制造技术
本发明涉及一种具有壳体的发射电磁辐射的光电子部件,该壳体具有腔,其中所述腔构造为沟状并且在该腔中线状排列地设置多个半导体芯片。两个相邻的半导体芯片彼此具有一间距,该间距小于或者等于所述半导体芯片的横向边长的一点五倍且大于或者等于0μm。...
带有温度传感器的LED阵列制造技术
在具有至少两个LED芯片(2)的LED阵列中包含温度传感器(3),并且设置有用于根据由温度传感器(3)所采集的温度对LED芯片(2)的工作电流的调节。由此,能够实现具有高的工作电流的LED芯片(2)的长的工作时间,其中降低了热过载的危险。
用于发光二极管元件的壳体以及发光二极管元件制造技术
本发明提供一种用于发光二极管元件(2)的壳体(1),所述壳体(1)具有壳体空腔(11),在所述壳体空腔(11)内布置用于发光二极管芯片(3)的至少一个芯片安装区域(33)并且所述壳体空腔(11)具有输出开口(12)。根据一个实施方案,所...
光电子半导体芯片制造技术
提供一种具有半导体层序列(2)的光电子半导体芯片(1),该半导体层序列(2)包括适于产生辐射的有源区(3)并具有横向主延伸方向,其中,半导体层序列通过具有侧表面(17)的衬底(4)来布置,该侧表面具有相对于主延伸方向成斜角的侧表面区域(...
光电头灯、用于生产光电头灯的方法和发光二极管芯片技术
本发明公开一种发出电磁辐射的光电头灯。所述光电头灯具有一个发光二极管芯片,所述发光二极管芯片具有至少两个空间发光区域;或者所述光电头灯具有至少两个发光二极管芯片,每个发光二极管芯片具有至少一个空间发光区域。所述头灯特别适合于机动车辆的前...
用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法技术
本发明涉及一种用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法,所述构件具有一个安装在一个引线框(10)上的辐射芯片(1),所述方法具有以下步骤:将辐射芯片(1)安装到引线框(10)上,由一种与硬化剂预先反应的树脂粉末或者一种与硬化剂预先反应...
复合衬底以及用于制造复合衬底的方法技术
本发明公开了一种复合衬底(1),其具有衬底本体(2)和固定在衬底本体(2)上的有用层(31),其中在有用层(31)和衬底本体(2)之间设置有平面化层(4)。此外,公开了一种用于制造复合衬底(1)的方法,其中将平面化层(4)施加在所提供的...
带有支承衬底的发射辐射的半导体本体及其制造方法技术
本发明涉及一种带有支承衬底的发射辐射的半导体本体及其制造方法。在该方法中,建立半导体层序列(2)与支承衬底晶片(1)的结构化的连接。半导体层序列借助穿过半导体层序列的切口(6)划分为多个半导体层堆叠(200),而支承衬底晶片(1)借助穿...
光电半导体元件制造技术
本发明涉及一种光电半导体元件,其具有:载体衬底;中间层,其在载体衬底和元件结构之间促成粘附,其中,该元件结构包括活性层,该活性层被设置用于产生辐射。
具有绝缘连接介质的导电连接制造技术
一种装置,其包含具有第一表面(6)的第一构件(5),具有第二表面(9)的第二构件(8)和第一构件(5)的第一表面(6)与第二构件(8)的第二表面(9)之间的连接层(7),其中,连接层(7)含有电绝缘的粘合剂,并且在第一构件(5)的第一表...
多量子阱结构、发射辐射的半导体本体和发射辐射的器件制造技术
本发明描述了一种多量子阱结构(1),所述多量子阱结构包括至少一个第一量子阱结构(2a)用于产生第一波长(6)的辐射,以及至少一个第二量子阱结构(2b)用于产生第二波长(7)的辐射,该第二波长(7)大于第一波长(6),并且所述多量子阱结构...
发射辐射半导体器件及其制造方法技术
本发明说明一种发射辐射的半导体器件,它具有包含发射辐射有源区(5)的多层结构(4),和具有包含第一主面(2)和位于该第一主面(2)对面的第二主面(3)的透过辐射的窗口(1),该窗口与第一主面(2)在多层结构(4)邻界。在窗口(1)中形成...
有机发光二极管器件封装装置及方法制造方法及图纸
这里公开一种用于器件的封装。在一个实施例中,将隔块(270)有选择性地置于器件区内。所述隔块(270)可防止安装在衬底(460)上的盖与有源元件,因而使它们免遭损坏。
制造具有发光转换元件的发光半导体元件的方法技术
本发明描述两种用于制造半导体元件的方法,其中发光转换元件直接被涂覆在半导体(1)上。在第一种方法中,含增附剂和至少一种荧光材料(5)的悬浮液(4)成层状地被涂覆在半导体(1)上。在下个步骤中,使溶剂逸出并由此使得在半导体上只留下含增附剂...
可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法技术
本发明叙述了可表面装配的发光二极管光源,其中对于表面装配所要求的引导结构弯曲是位于透明的塑料压制材料内部向着壳体反面。此外本发明叙述了在发射紫外和蓝色的半导体LED(1)基础上制造混合光源有益的是白光源的方法,其中将LED(1)装配在引...
发光半导体元件及其制造方法技术
本发明涉及一种GaN基的发光半导体元件,它的半导体本体由一个若干不同的GaN半导体层(1)的层叠构成。该半导体本体具有一个第一主面(3)和一个第二主面(4),其中产生的辐射通过第一主面(3)输出,并在第二主面(4)上构成一个反射器(6)...
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