本发明涉及一种有机发光二极管，其具有设置在衬底（ＳＵ）上的层结构（ＳＡ），该层结构至少包括阳极、阴极以及设置在其间的功能层。选自阳极和阴极的至少一个电极对由功能层发射的光是透射的并且设置在层结构的发射光的侧（发射侧）上。至少一个色彩转换...

根据本发明的一种芯片（１００），包括至少一个半导体本体（４），其具有发射辐射的区域；和至少一个第一接触区（５），其被设置用于电接触半导体本体（４）并且在横向上同发射辐射的区域相间隔；此外还包括对所发射的辐射能透射的导电的第一接触层（１）...

给出了一种照明装置，其带有多个分别由至少一个光源（Ｌ）照射的辐射反射器（１、２、３、４）。所述辐射反射器（１、２、３、４）如此成形，即，使得它们可模块式地组合成反射辐射的发光面（１００、２００、３００、４００）。

所描述的装置和方法涉及至少两个发出电磁辐射的半导体器件，其发出的电磁辐射处于不同的波长范围内。所有半导体器件的这种电磁辐射的叠加在此具有至少一部分在可见波长范围内。在此，所述半导体器件中的至少一个在光路中具有发光转换元件。该半导体器件具...

本发明提供一种具有半导体主体（２）的光电半导体芯片（１），该半导体主体（２）具有半导体层组，该半导体层组具有适于产生辐射的有源区（３），其中半导体芯片包括：辐射能穿透且导电的接触层（６），其设置在半导体主体（２）上并且与有源区（３）导电...

本发明涉及一种电致发光的有机半导体元件，其包括：衬底（６）以及设置在衬底（６）上的第一电极（２）。该半导体元件还包含第二电极（３）以及至少一个有机层（１），所述至少一个有机层设置在第一电极和第二电极（２，３）之间。所述有机层包括通过载流...

本发明涉及带有层堆叠（２）的一种薄膜发光二极管芯片（１），该层堆叠具有第一主辐射面（３）和相对的第二主辐射面（４），使得该薄膜发光二极管芯片（１）具有至少两个主辐射方向（５，６）。不仅在第一主辐射面（３）上而且在第二主辐射面（４）上设置...

本发明提出了一种半导体芯片（１），其包括带有半导体层序列（１０）的半导体本体，该半导体层序列具有有源区（１２）和ｐ型半导体层（１１）。有源区（１２）优选基于化合物半导体并且此外优选设计用于产生辐射。在ｐ型半导体层（１１）的背离有源区（１...

本发明提出了一种带有层序列（１０）的发光二极管芯片，该层序列具有至少一个ｎ型层。发光二极管芯片具有与ｎ型层（３１）导电连接的反射层（５）。在ｎ型层和反射层之间设置有至少一个透明的介电层（４）。

本发明涉及一种发射辐射的装置（１），该发射辐射的装置包括：对辐射透明的衬底（２），布置在对辐射透明的衬底（２）上的层序列，该层序列包括：至少一个第一电极层（４），其具有用于施加电压的第一接触（７）；至少一个功能层（５），其在工作时发射辐...

一种塑料壳体（２）设置在支承元件（１）上并且设计有凹处（３），光电子器件（１２）设置在该凹处中。在背离支承元件（１）的侧上，凹处（３）具有向外的开口（９），该开口可以设置有透明盖板。在塑料壳体（２）上可以设置一个或多个结构（５，６），以...

光电子器件，具有一个基体或壳体（２）、至少一个布置在基体缺口中的光电子半导体芯片（３）、和一种在缺口中埋入至少一个半导体芯片的浇注材料（５），该浇注材料（５）由透明材料制成，其中，该透明的浇注材料（５）是漫散射地构成的，并尤其含有散射体...

在用于在导电的ＩＩＩ－Ｖ半导体层（３）内制造至少一个具有降低了的电导率的区域（８）的方法中，在所述半导体层（３）的区域（８）上敷设ＺｎＯ层（１），并且接着优选地在３００℃和５００℃之间的温度时退火。ＺｎＯ层（１）优选地在低于１５０℃的温...

本发明提出了一种照明装置（１），具有：带有至少一个凹部（５）的芯片壳体（２），该凹部通过反射性的内表面（４）形成边界。此外，该照明装置包括：至少一个发射辐射的半导体芯片（３），该半导体芯片带有设置在凹部（５）中的芯片面（９）；以及远离芯...

本发明涉及一种光电组件、具有多个光电组件的装置和用于制造光电组件的方法。一种光电组件（１），包括具有有源区（４００）和横向的主延伸方向的半导体功能区域（２），其中所述半导体功能区域具有至少一个穿过所述有源区的贯穿部（９、２７、２９），并...

提供一种具有半导体层序列（２）的光电子半导体芯片（１），该半导体层序列（２）包括适于产生辐射的有源区（３）并具有横向主延伸方向，其中，半导体层序列通过具有侧表面（１７）的衬底（４）来布置，该侧表面具有相对于主延伸方向成斜角的侧表面区域（...

可变形的照明模块具有多个线路板，在每个线路板上设有至少一个发光器，这些线路板通过馈电导线连接成串，所述馈电导线不间断地延伸成串的所有线路板上，成串的各线路板之间并联。

给出了一种光电子器件，其中该光电子器件具有壳和设置在壳中的发光二极管芯片（１），该发光二极管芯片发射有效辐射。壳具有对有效辐射可穿透的壳材料（５），该壳材料有目的的掺有吸收辐射的材料，用于调节所发射的有效辐射的预先给定的辐射强度或者光强...

发射辐射的半导体器件，具有包含发射辐射的有源层（５）的多层结构（４）和具有用于透射辐射的窗口（１），此窗口只安置在多层结构（４）的背离半导体器件主发射方向的一侧且具有至少一个侧壁（１０），此侧壁具有向垂直于多层结构的半导体本体中轴而倾斜...