本发明涉及配有一个半导体的一种光泵激的发射辐射线的半导体装置，该半导体具有至少一个泵激辐射线源（２０）和一个表面发射的量子空腔谐振结构（１１），其中泵激辐射线源（２０）和量子空腔谐振结构（１１）是整体集成的。泵激辐射线源（２０）产生泵激...

本发明涉及一种半导体激光器，尤其是一种单模式激光器，其在它的激光谐振器内包含至少一个吸收层（８），该吸收层减小在激光谐振器内的激光射线（１０）的透射率Ｔ↓［Ｒｏｓ］来减小用于反馈到激光谐振器内的射线（９）的、半导体激光器的反作用灵敏度。...

本发明涉及一种辐射半导体元器件，其具有一种层状结构，该层状构造包含有一个ｎ－掺杂的界限层（１４）、一个ｐ－掺杂的界限层（２２）和一个布置在ｎ－掺杂界限层（１４）和ｐ－掺杂的界限层（２２）之间的活性的、发射光子的层（１８）。按照本发明规定...

本发明涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域（２），该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层（３），以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源（５）用于该垂直发射区域（２）的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射...

在发射辐射的光电元件（１）中，该发射辐射的光电元件（１）与散热片（３）连接和被设置用于脉冲宽度为Ｄ的脉冲驱动，并且其中在脉冲驱动中实现热时间常数为τ的光电元件（１）的温度变化，热时间常数τ为了减小温度变化的幅值而与脉冲持续时间Ｄ相匹配。...

本发明涉及一种发光的半导体器件，所述发光半导体器件包含带有一个ｐ掺杂的半导体层（４）区域和一个ｎ掺杂的半导体层（３）区域的半导体层序列（２），并且在所述区域构成一个第一ｐｎ结（５ａ、５ｂ）。所述ｐｎ结（５ａ、５ｂ）沿横向由一个绝缘段（６...

本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构（１）和至少一个用于量子阱结构（１１）的光抽运的抽运辐射源（２０），而抽运辐射源（２０）则具有一个边缘发射的半导体结构（２１）。产生辐射的量子阱结构（...

本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构（１）和至少一个用于量子阱结构（１１）的光抽运的抽运辐射源（２０），而抽运辐射源（２０）则具有一个边缘发射的半导体结构（２１）。产生辐射的量子阱结构（...

本发明涉及一种具有带有面接触的光电部件的基片的产品。

本发明涉及一种半导体激光器部件，其具有设置用于产生辐射的半导体激光器芯片（１）和光学装置，所述光学装置包括支承体（７）、设置在所述支承体上的辐射偏转元件（８）和设置在所述支承体上的反射器，其中所述反射器构造为用于所述半导体激光器芯片（１...

本发明说明了一种表面发射的半导体激光器装置，具有：至少一个表面发射的半导体激光器（２１），其具有垂直发射器（１）和至少一个泵浦辐射源（２），它们并排单片地集成到共同的衬底（１３）上。此外，半导体激光器装置还具有导热元件（１８），所述导热...

本申请涉及一种光电子半导体芯片（２０），在半导体芯片（２０）的生长方向（ｃ）上具有以下顺序的区域：用于有源区（２）的ｐ掺杂的阻挡层（１）；有源区（２），其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六边形的化合物半导体；以及用于有源区（２）的ｎ掺...

一种根据本发明的用于横向分离半导体晶片（１）的方法，包括以下方法步骤：提供生长衬底（２）；将半导体层序列（３）外延生长到生长衬底（２）上，该半导体层序列包括功能半导体层（５）；将掩模层（１０）施加到半导体层序列（３）的部分区域上，以产生...

本发明涉及一种具有半导体本体(10)和电流扩展层(3)的光电子半导体 器件。电流扩展层(3)至少部分地被施加在半导体本体(10)上。在此，电 流扩展层(3)包括金属(1)，所述金属在电流扩展层内形成透明导电金属氧 化物(2)，且金属(1...

一种表面发射的半导体激光器具有：半导体芯片（１）；第一谐振器反射装置（４）和至少一个另外的谐振器反射装置（８），其中该另外的谐振器反射装置设置在半导体芯片（１）外部，并且与第一谐振器反射装置（４）一同构建具有谐振器长度Ｌ的激光谐振器；以...

本发明说明了一种用于制造可光泵浦的半导体装置（１）的方法，其包括以下步骤：提供包括复数个连接支承体（１４）的连接支承体复合结构（５０），这些连接支承体机械上彼此固定相连；在连接支承体复合结构（５０）的连接支承体（１４）上设置表面发射的半...

本发明说明了一种可光泵浦的半导体装置，其具有：表面发射的半导体本体（１），该表面发射的半导体本体具有辐射穿透面（１ａ），该辐射穿透面背离该半导体本体（１）的安装平面；以及光学元件（７），该光学元件适于将泵浦辐射（１７）偏转到半导体本体（...

特别用于混合色的发光二极管光源的生产方法，其中至少由芯片所辐射出来的一次辐射的一部分借助于发光转换被转变，其步骤为：－准备一个芯片，它具有一个电接触面形式的前面电触点。－通过将一种导电材料涂敷到电接触面上使前面电触点 ...

光电元件，包括一个壳体（５７）和至少一个布置在壳体（５７）上的半导体芯片（５０），其特征为，壳体（５７）的一个表面具有一个金属化的分区（１５）和一个非金属化的分区（２０），且壳体（５７）包括至少两种不同的塑料（５３、５４）， ...

本发明涉及具有至少一个用于发射初级辐射（４）的ＬＥＤ（２）和至少一种用于将所述初级辐射转化为次级辐射（５）的荧光材料（６）的光源（１）。所述光源的特征在于，所述次级辐射在室温情况下具有超过一秒的衰减时间，在所述衰减时间内次级辐射的荧光强...