半导体激光器设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域（２），该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层（３），以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源（５）用于该垂直发射区域（２）的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层（６）。按照本发明专利技术，在垂直方向上，泵浦层（６）被设置在垂直发射层（３）之后，并且在垂直发射层（３）和泵浦层（６）之间设置了一个导电层（１３）。此外在半导体激光器设备的、相较导电层（１３）更接近泵浦层（６）的侧面上淀积上一个接触部（９）。在接触部（９）和导电层（１３）之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射（７）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层，并且该半导体激光器设备还具有至少一个被单片集成的泵浦辐射源用于该垂直发射区域的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层
技术介绍
这种激光器设备和用于该设备的制造方法由出版文献WO 01/93386已知，其内容通过引用合并与此。其中描述了光泵浦的、表面发射的半导体激光器设备，其具有放大区域作为垂直发射区域以及至少一个边发射的半导体激光器作为泵浦辐射源。垂直发射区域和泵浦辐射源在共同的衬底上外延地生长出来。通过这种方式，可以实现垂直发射区域和泵浦辐射源的节省空间的单片集成的构造。当泵浦辐射源的波长小于由垂直发射器发出的辐射的波长时，可获得高的泵浦效率并由此获得垂直发射器的高的输出功率。这一点例如可以通过产生辐射的泵浦层或垂直发射层的不同材料组成或通过这些层的不同的尺度确定实现。用于这种半导体激光器设备的一种典型的制造方法是，用于垂直发射区域的层在衬底上首先大面积地外延生长。接着在为泵浦辐射源设置的侧面区域中，这些层又被有选择地蚀刻。随后在第二外延步骤中本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体激光器设备，具有－光泵浦的、表面发射的垂直发射区域（２），该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层（３），以及－至少一个被单片集成的泵浦辐射源（５）用于该垂直发射区域（２）的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层（６），其特征在于，－在垂直方向上，泵浦层（６）被设置在垂直发射层（３）之后，－在垂直发射层（３）和泵浦层（６）之间设置了一个导电层（１３），－在半导体激光器设备的、相较导电层（１３）更接近泵浦层（６）的侧面上淀积上一个接触部（９），并且－在导电层（１３）和接触部（９）之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射（７）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：托尼阿尔布雷希特，彼得布里克，斯特凡吕特根，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]