本发明涉及配有荧光变换元件（７）的辐射半导体组件，其中半导体（３）被安置在基体（１）的一个凹穴中。在该凹穴中，围绕半导体地形成一个盆状区域，该盆状区域容纳荧光变换元件（７），该荧光变换元件包封着半导体（３）。该盆状区域被制成在凹穴内的凹...

本发明讲述了一种具有表面金属敷层的半导体器件，具有至少一个半导体本体（３）和一个外壳基体（２），在所述的外壳基体（２）的表面上借助表面金属敷层来构造印刷线路结构（７）。所述印刷线路结构（７）的一个子区域构成了所述半导体器件的焊接头（１）...

本发明涉及一种环氧树脂体系，尤其是用作为浇注树脂，该体系含基于缩水甘油醚或缩水甘油酯的含环氧化物的Ａ－组分和有酐作硬化剂的Ｂ－组分，其中向Ａ－组分添加位阻胺作为抗模制材料老化的稳定剂。用此材料浇注的发光半导体器件表现出较高的耐老化性，特...

发射辐射的半导体器件具有包括发射辐射的有源层（１０）的多层结构（１００）、具有用于向多层结构（１００）中注入电流的电学接触（３０，４０），以及具有可透过辐射的窗口层（２０）。该窗口层只安置在多层结构（１００）的避开半导体器件主发射方向的...

本发明涉及一种具有一个光发射活性区（３２）和一个窗口层（２）的发光二极管芯片。为了增加辐射效率，光发射活性区（３２）的横截面面积小于窗口层的光输出用的横截面面积。此外，本发明涉及一种在发光元件的表面上制造透镜结构的方法。

为将光学透镜固定在光电子发送器或接收器上提出，使用ＵＶ－或光引发的－阳离子硬化环氧树脂，在其帮助下，粘贴部位几秒钟之内硬化，由此可以定位。此外，提出将可液态使用的树脂成分作为胶粘剂使用，它们光学上配合，并对在光电子元件中长期可靠使用及其...

在一个上表面上有一个结构化的耦合输出层（６），其带有侧面（１６），这些侧面与层平面构成一个６０°和８８°之间的角，并形成了对相互错置的、为辐射射出而设置的耦合输出部位的限制。耦合输出层在耦合输出部位的部分可以是扁平截锥体并在侧面形成凿沟...

本发明涉及一种半导体芯片（１０）。为了提高光输出，活性层（３）通过切口（１１）切断。这样，从产生光的一个点（６）看去，活性层（３）的侧面（９）便暴露在一个大的空间角下并缩短了活性层（３）内的光程。

发光二极管芯片（１），具有一个基于ＧａＮ的进行辐射的外延层序列（３），该外延层序列具有一个有源区（１９）、一个ｎ掺杂层（４）和一个ｐ掺杂层（５）。所述ｐ掺杂层（５）在其背向有源区（１９）的主面（９）上设有进行反射的接触金属敷层（６），该...

本文介绍了尤其与发光二极管（２３）组合使用的被动辐射光模（１），它有多个光学独立元件（２），这些元件是透光的或反光的，它们最好通过理论断裂点（３）相互连接而成辐射光模（１），而且它们可以相互分开并形成包含一个或多个光学独立元件（２）的光...

含硫金属类的发光材料，优异的是硫代五倍子酸盐发光材料，在其中使用对应于分子式（ＡＳ）.Ｗ（Ｂ＃－［２］Ｓ＃－［３］）的含硫金属，其中将Ａ选择为由Ｂａ族单独的或者与Ｍｇ和／或Ｃａ化合的至少一个二价阳离子，和其中将Ｂ选择为由Ａｌ，Ｇａ，Ｙ族...

本发明提出了高功率发光二极管用的半导体芯片（１），其纵侧比其横侧长得多，从而明显地提高了光输出。

为了用薄膜技术制造半导体芯片，一个有源层（２）在一衬底上生长，背面带有具有一基层（３）的接触层，并通过一加强层（４）加强，这些层的总厚度至少等于有源层（２）的厚度。然后安置一个辅助载体层（５），从而可以进一步加工有源层（２）。加强层（４...

本发明涉及一种辐射源，它具有一个半导体芯片组，这些芯片位于一个布置在六方网格结构里的微型透镜（８）的组下面。该辐射源的特征是辐射功率和辐射密度大。

一种带有多个布置在一反射器（３）中的发光二极管芯片的元件，其中通过一个中间壁（１１）中断发光二极管芯片之间的直接照准线。由此大大改善了元件（１）的效率。

本发明阐明一种具有载体（２）的ＬＥＤ模块（１），该载体含有半导体层（５）和具有平的主面，在该主面上安放了多个ＬＥＤ半导体本体（１１）。优选采用在工作中发射出不同中心波长的光的ＬＥＤ半导体本体（１１），使得所述的ＬＥＤ模块（１）适合于生成...

本发明涉及一种具有多层ＧａＮ基层的半导体元件的制造方法，这种半导体元件最好用来产生辐射。其中多层的ＧａＮ基层（４）生长在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体（１）和一层中间层（２），而且衬底本体（１）的热膨胀系数接近于或最好大于Ｇ...

本发明涉及一种光电子元件，它有一个装在一个柔性的芯片载体（６）上的半导体芯片（１），其中在一个第一主面上形成有用于电连接半导体芯片（１）的印制导线（３，５），在该芯片载体上设有一个壳体框（７），该壳体框用透光介质并尤其是填料被填满。此外...

一个发光芯片（３）具有一个透镜状耦合输出窗（４），该耦合输出窗的基面（５）具有一个镜面（６）。在耦合输出窗（４）的一个耦合输出面（７）上，设有一个层系列（９），它包括一个发出光子的ｐｎ结（１０）。来自ｐｎ结的光子在镜面（６）上反射并可以...

本发明涉及一种基于氮化镓的化合物半导体基础上的发光装置的制造方法，包括具有第一和第二主面的发光层（２），其由氮化镓基的化合物半导体构成；第一覆盖层（３），其与发光层（２）的第一主面相连，并由一氮化镓基的ｎ型化合的半导体构成，其组成区别于...