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奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司专利技术
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司共有665项专利
将半导体芯片固定在塑料壳本体中的方法、光电半导体构件和其制造方法技术
用于将一个半导体芯片固定在一个塑料壳体本体中的方法和光电的半导体结构元件一个可发送射线或可接收射线的半导体芯片9为了装配被软焊料钎焊到一个引入架2上,其被一个予制的塑料壳体本体5-一个所谓的预模制的外壳件-注塑成型。通过应用一种低熔点的...
可表面安装的半导体器件及其制造方法技术
表面安装的半导体器具有一个半导体芯片(1)、至少两个与半导体芯片(1)的至少两个电触点导电连接的外部电接头(3、4)和一个芯片封装(5)。其中两个外部电接头(3、4)设置在一个厚度小于或等于100微米的薄膜(2)上。半导体芯片(1)固定...
发射辐射的半导体器件制造技术
本发明提出了一种具有一个GaN基多层结构(12)的发射辐射的薄膜半导体器件,该多层结构包括一层有源的、发射辐射的层(14),并具有一个第一主面(16)和一个背离该第一主面的第二主面(18),用以输出在该有源的、产生辐射的层中产生的辐射。...
电引线架的制造方法,表面安装的半导体器件的制造方法和引线架带技术
本发明涉及一种制造电引线架(10)的方法,特别是用于具有至少一个第一电接头导体(2)和第二电接头导体(3)的发光二级管元件的电引线架(10),该方法具有下列的工艺步骤:a)制造一层由一电绝缘基层(101)和一层导电连接体层(102)组成...
用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片技术
在用于生产基于AlGaInP的发射辐射的半导体芯片的方法中,具有以下方法步骤:提供一个衬底;将一个包含发射光子的有源层的半导体层序列淀积在该衬底上;并且淀积一个透明的耦合输出层,该透明的耦合输出层包括Ga↓[x](In↓[y]Al↓[1...
引线架基罩壳及其制造方法、引线架带和电子元件技术
本发明涉及一种表面安装元件、尤指发射辐射的元件的引线架基的罩壳,这种引线架基的罩壳具有电连接条和至少一个芯片安装面,并在这些连接条之一内按本发明设置了一个注塑窗口,该注塑窗口可实现用注塑法制作具有很小厚度的引线架基的罩壳。此外,给出了这...
发射射线的半导体器件及其制造方法技术
本发明涉及一种发射射线的半导体器件,其具有一个射线可透过的衬底(1),在该衬底(1)的底面上布置了一个生成射线的层(2);在该半导体器件中,衬底(1)具有倾斜的侧面(3);在该半导体器件中,衬底(1)的折射率大于生成射线的层的折射率;在...
半导体元器件和制造方法技术
为了避免或者补偿元器件中的热应力,一种半导体元器件具有一个发光的半导体层或者一个发光的半导体元件、两个接触点和一个垂直或者水平结构化的载体基片,本发明还涉及一种制造半导体元器件的方法。热应力由于温度变换并且因为半导体和载体基片不同的膨胀...
光电子元件和元件模块制造技术
本发明涉及的一种光电子元件(1)具有一个发射和/或接收电磁辐射的半导体器件(4),该半导体器件布置在一个载体(22)上,该载体与一个散热体(12)导热连接,并具有与半导体器件(4)连接的外部电接头(9),外部电接头(9)电绝缘地布置在与...
具有用于产生一个成束光流的装置的仰视显示器制造方法及图纸
在一种用于产生成束光流的装置中,设有一个由发光二极管阵列(1,2,3)构成的光源,在所述光源与一个光输出孔(9,18)之间设置一个用于使发光二极管产生的光成束和散射的光学装置,该装置为了成束和散射包括一个栅格形反射体(5),它分别对于一...
抗老化的环氧树脂体系、由其制造的模制材料和器件,以及其应用制造技术
本发明涉及一种环氧树脂体系,尤其是用作为浇注树脂,该体系含基于缩水甘油醚或缩水甘油酯的含环氧化物的A-组分和有酐作硬化剂的B-组分,其中向A-组分添加位阻胺作为抗模制材料老化的稳定剂。用此材料浇注的发光半导体器件表现出较高的耐老化性,特...
制造半导体器件的方法技术
本发明说明用于制造半导体器件尤其是薄层器件的方法,其中通过激光光束照射把半导体层从基片分离开,所述激光光束具有平台样的空间光束特性曲线。此外在分离前把半导体层设置在带有适配的热膨胀系数的载体上。本发明特别适用于含有氮化合物半导体的半导体层。
光电元件制造技术
光电元件,包括: -一个光电芯片(1); -一个带有一中心区(3)和引线(41、42、43、44)的芯片载体(2),芯片(1)固定在该中心区,而上述引线则从芯片载体(2)的中心区(3)向外延伸; -其中,芯片(1)和芯...
物体表面打毛的方法和光电元件技术
用于将一个物体(1)表面打毛的方法,该方法包括下列步骤: a)在表面上涂覆一层掩模层(2); b)在掩模层(2)上放置预成型的掩模体(3); c)在未被掩模体(3)覆盖的部位处腐蚀穿透掩模层(2); d)在物体(...
发射和/或接收电磁辐射的半导体元器件制造技术
本发明涉及一种发射和/或接收辐射的半导体元器件,该半导体元器件具有至少一个发射和/或接收辐射的半导体芯片(1),该芯片设置在一个整体的外壳基体(3)的凹槽(2)中,并且在那里通过一种包覆元器件(4)进行覆盖,它对于由半导体芯片(1)发射...
用于制造一个半导体元器件的方法技术
本发明涉及一种用于制造一个半导体元器件的方法,在该方法中一个半导体层(2)与一个衬底(1)通过激光脉冲(6)辐射分离,其中该激光脉冲(6)的脉冲宽度小于或等于10ns。所述激光脉冲(6)具有一个空间的射线轮廓(7),其侧面陡度选择得很小...
薄膜半导体元器件和其制造方法技术
本发明涉及一种半导体元器件,它具有一个薄膜半导体本体(2),它设置在一个载体(4)上。此外还涉及一种用于制造一个这样的半导体元器件的方法。
照明模块及其制造方法技术
本发明涉及具有至少一个镀在具有电连接线的芯片载体上的薄膜发光二极管芯片的照明模块,该薄膜发光二极管芯片具有第一和第二电连接边以及外延制造的半导体层序列。该半导体层序列具有n导电型半导体层、p导电型半导体层和布置在所述两个半导体层之间的产...
辐射芯片制造技术
本发明提供一种用于光电子学的芯片,尤其是发光二极管芯片,它具有一个发出光子的有源区(8)和一个具有至少一个耦合输出面(7,15,17)的耦合输出窗(4),其特征在于,该有源区(8)与该芯片的一个主辐射方向(18)有关地设置在该耦合输出窗...
电子器件制造技术
在结合焊盘区有结合焊盘(377)的器件,所述结合焊盘包含当暴露于空气组分下稳定的导电材料(305)。结合焊盘可以由例如氧化铟锡的导电氧化物材料形成。提供接触层(375),用以提高器件的结合焊盘(377)和有源元件之间的导电率。
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