电子器件制造技术

技术编号:3195357 阅读:139 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在结合焊盘区有结合焊盘(377)的器件,所述结合焊盘包含当暴露于空气组分下稳定的导电材料(305)。结合焊盘可以由例如氧化铟锡的导电氧化物材料形成。提供接触层(375),用以提高器件的结合焊盘(377)和有源元件之间的导电率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及器件的连接,尤其涉及器件比如有机发光二极管(OLED)的改进连接。
技术介绍
OLED器件可以用作各种消费性电子产品,比如自动立体显示器、便携式电话、便携式智能电话、商务通、寻呼机、广告板、触摸屏显示器、电话会议和多媒体制品、虚拟现实制品和显示服务站,的显示器。参见附图说明图1,它示出了常规的OLED器件100。该OLED器件包含在基板101上形成的功能叠层。该功能叠层包含一个或多个位于第一透明导电层104(例如,氧化铟锡或ITO)和第二导电层106之间的有机功能层102。导电层充当电极。OLED单元位于阳极和阴极重叠的有源区。可以提供罩子160对该有源元件进行密封。在第一导电层上可以形成接触层,接触层延伸到罩子的外部,提供外部结合焊盘150’。电荷载流子经由结合焊盘150’通过阴极和阳极注入,在功能有机层里重新结合。电荷载流子的重新结合导致单元的功能层发出可见光。图2给出了常规OLED器件中结合焊盘和外部驱动电路之间的连接的一部分。采用例如各向异性导电薄膜(ACF)208将挠性连接器206结合到基板101上。该挠性连接器将该器件向外电连接到驱动电路上,而驱动电路提供驱动有源元件所需的电流。接触层150沉积在基板上,用以提供该器件和挠性连接器之间的电连接。接触层包含诸如Al、Au、Ag、Cu、Cr或Ni的金属。但是,接触层的比如210的部分暴露在环境中,极容易受到和大气成分比如氧气和水分的反应而导致的损坏。随着时间的流逝,挠性连接器可能从接触层上脱开,导致连接的可靠性下降。而且,接触层和基板以及ACF的粘结性差,导致可靠性低、加工困难,制造成本较高。从前述讨论中可以知道,需要提供一种改进的连接,以加强器件的可靠性,延长其寿命。专利技术概述本专利技术涉及器件比如OLED器件的改进连接。提供了结合焊盘区,该结合焊盘区具有结合焊盘,该结合焊盘含有当暴露在空气成分比如水分和氧气中时稳定的导电材料。结合焊盘可以包含比如氧化铟锡的导电氧化物材料。提供了接触层,用以增强器件的结合焊盘和有源元件之间的电导率。在一个实施方案中,接触层被保护层封装。附图简述图1给出了常规OLED器件;图2给出了常规OLED器件中结合焊盘和外部驱动电路之间的连接;图3给出了根据本专利技术的一个实施方案的有机器件300;图4给出了根据本专利技术的一个实施方案中的接触层、连接材料和驱动电路之间的连接;和图5-9给出了制备本专利技术一个实施方案的OLED器件的方法。优选实施方案详述本专利技术涉及器件的改进连接。该连接使器件更加可靠,制备时成本相对较低。图3给出了本专利技术一个实施方案的器件300。在一个实施方案中,器件含有基板301,在基板上限定了有源区。基板包含例如玻璃。还可以使用比如硅或其它半导体材料。为了形成挠性器件,可以使用比如塑料的材料。还可以使用各种能为制备该器件提供足够机械稳定性的材料。有源区包括该器件的一个或多个有源元件。在一个实施方案中,有源区包括一个或多个OLED单元。有源区还可以包含其它类型的电子元件。OLED单元包含一个或多个夹在第一和第二电极(305和315)之间的有机层(聚合物叠层)。电极是由导电层形成的。有机层由有机化合物包括例如共轭聚合物、低分子量材料、低聚物、星放射状化合物或者树枝状聚合物制成。这种材料包括三-(8-羟基喹啉)铝(Alq)、聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)或者聚芴(PF)。还可以使用其它类型的功能有机层,包括基于荧光或磷光的层。在一个实施方案中,至少一个电极包含当暴露在大气组分比如水分和氧气下稳定的导电材料。在一个实施方案中,第一电极包括当暴露于大气组分下稳定的导电材料。在一个实施方案中,稳定的导电材料包含导电氧化物,比如氧化铟锡(ITO)。还可以使用其它当暴露在大气组分下稳定的导电氧化物,比如氧化铟锌、氧化锌或氧化锡。在一个实施方案中,第一电极包含透明导电材料。对需要从基板观察的应用而言,第一透明电极位于基板上,如图3所示。对需要从盖子观察的应用而言,透明电极位于有机层310的顶部。第一电极充当例如阳极,而第二电极充当例如阴极。在无源显示器应用中,可以在阴极和阳极上如需制备图案,从而形成一个或多个OLED单元。例如,沿第一和第二方向分别形成条状阴极和阳极,得到像素化的器件。还可以使用其它图案。通常,第一和第二方向互相垂直。或者,OLED显示器包括有源矩阵显示器。有源矩阵显示器包括像素,这些像素独立地由在电子底版上形成的薄膜晶体管(TFT)和电容器寻址。在一个实施方案中,盖子360在有源区周围的盖子结合区结合到基板上,对OLED单元进行封装。盖子形成了腔体345,保护单元免受由于物理接触盖子导致的损坏。在一个实施方案中,盖子包含盖子基板以及在盖子基板上形成的密封焊盘环或焊盘圈364。盖子基板可以由例如玻璃制成。还可以使用其它可以用作盖子基板的材料,比如金属或陶瓷。例如,密封焊盘环可以由抗光蚀剂制成。也可以使用其它类型的材料,比如硅酸盐玻璃、二氧化硅或者陶瓷。可以采用粘结剂将盖子结合到基板上。该粘结剂例如含有基于环氧化物、硅酮、尿烷、丙烯酸酯或烯化学的树脂。树脂可以是UV或热固化树脂。提供由环氧树脂粘结剂形成的密封焊盘环,同样有用。或者,盖子是包括例如压制金属或蚀刻玻璃的预成型盖子。该器件的有源区可以例如包括成型的支柱。这些成型的支柱包括咬边,用来在顶部电极上形成图案。在例如“Production of StructuredElectrodes”(US 2001/0017516A1)和“Patterning of Electrodes inOLED Devices”(PCT/SG00/00134)中,描述了成型支柱的使用情况,为此在本文中引入这些专利作为参考。可替换的或者除了成型支柱以外,可以在基板上提供隔离颗粒。隔离颗粒对盖子进行支撑,防止盖子接触OLED单元。在例如“Encapsultaion of Electronic Devices”(USSN 09/989362)、“Improved Encapsulation of Organic LEDdevices”(PCT/SG99/00143)、“Improved Encapsultaion for OrganicLED Device”(PCT/SG99/00145)中,描述了隔离颗粒的使用情况,由此在本文中引入这些专利作为参考。在基板上的盖子结合区,可以提供表面保护层(没有示出)。盖子和该表面保护层相接触。表面保护层下面的各层,例如电极和/或电极(例如ITO)的金属连接,受到了保护,防止在去除聚合物材料的过程中受到损坏。在例如专利申请“Encapsulation forElectroluminescent Devices”USSN 10/142208(律师委托号12205/16)中描述了表面保护层的使用,因此在本文中引入该专利作为参考。提供了结合焊盘区,在此处放置结合焊盘。在一个实施方案中,结合焊盘区围绕这有源区,并延伸到盖子结合区以外。使结合焊盘区围绕着盖子结合区,同样有用。结合焊盘包括第一(引线)和第二(焊盘)区。焊盘区是进行接触从而例如驱动电路的区域。通常,引线部分从焊盘部分向有源区延伸。根据本专利技术,结合焊盘包含当暴露在空气组分例如水本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件,包括:基板,在其上限定了有源区,有源区包括至少一个有源元件;围绕着有源区的结合焊盘区,其中所述结合焊盘区包含结合焊盘,其中所述结合焊盘包含稳定的导电材料;和连接结合焊盘和有源元件的接触层,其中所述接触层提高 了结合焊盘和有源元件之间的导电率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-4-25 10/249,6251.一种器件,包括基板,在其上限定了有源区,有源区包括至少一个有源元件;围绕着有源区的结合焊盘区,其中所述结合焊盘区包含结合焊盘,其中所述结合焊盘包含稳定的导电材料;和连接结合焊盘和有源元件的接触层,其中所述接触层提高了结合焊盘和有源元件之间的导电率。2.权利要求1的器件,其中所述有源元件包含OLED单元。3.权利要求2的器件,其中所述稳定导电材料包含导电氧化物材料。4.权利要求3的器件,其中所述稳定导电材料包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化锡。5.权利要求1的器件,其中所述稳定导电材料包含导电氧化物材料。6.权利要求5的器件,其中所述稳定导电材料包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化锡。7.权利要求6的器件,其中所述接触层包含导电金属。8.权利要求7的器件,其中所述接触层包含Al、Au、Ag、Cu、Cr或Ni。9.权利要求7的器件,还包含保护层,该保护层对接触层进行封装。10.权利要求9的器件,其中所述保护层包含绝缘材料。11.权利要求10的器件,其中所述保护层包含抗光蚀剂、酚醛清漆树脂、聚酰亚胺或者聚苯并噁唑。12.权利要求1的器件,其中所述接触层包含导电材料。13.权利要求12的器件,还包括保护层,所述保护层对接触层进行封装。14.权利要求2的器件,其中所述有源元件包含至少一个在第一和第二导电层之间形成的有机层。15.权利要求14的器件,其中第一导电层包含稳定的导电材料。16.权利要求15的器件,其中所述第一导电层延伸到结合焊盘区。17.权利要求16的器件,其中所述稳定...

【专利技术属性】
技术研发人员:SI阿布杜尔马纳夫S埃根布罗德特EKM京特HB林SL滕
申请(专利权)人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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