本发明涉及一种有机发光二极管（ＯＬＥＤ），其具有改善的寿命和改善的负载荷子迁移。有机发光二极管基于有机半导体材料，其中负载荷子的迁移以及还原方面的稳定性由三芳基化的刘易斯酸单元决定、尤其由过芳基化的硼烷单元决定。这导致了发光层的改善的寿...

本发明涉及一种方法，用于将用于薄膜发光二极管芯片的半导体层序列的辐射发射的面微结构化，其包括以下步骤：（ａ）在衬底上生长半导体层序列；（ｂ）将反射器层（７）施加或者构造在半导体层序列上，反射器层将在半导体层序列工作时在半导体层序列中所产...

本发明涉及一种薄膜发光二极管芯片，其中这样来调节反射层（４）和产生光的活性区（３）之间的距离，使得来自活性区（３）的辐射与由反射层（４）所反射的光进行干涉，其中，通过该干涉来影响活性区（３）的内部量子效率，并且由此实现活性区（３）的具有...

一种用于有机电子元件的封装，其特征在于，用形状稳定的封壳封装的元件至少部分被保护膜覆盖。

本发明说明了一种用于产生至少一个结构化的层（１０Ａ）的方法，其中在位于衬底（５）上的层（１０）上产生具有第一结构（２０Ａ）和第二结构（２０Ｂ）的掩模结构（２０）。通过该掩模结构（２０），第一结构（２０Ａ）借助各向同性的结构化方法而第二结...

本发明涉及一种光电子半导体部件，其具有至少一个发出辐射（１１）的半导体芯片（１），所述半导体芯片设置在壳基体（３）的凹口（２）中，其中所述凹口（２）侧面地由环绕所述半导体芯片（１）的壁（３１）的内侧（３２）形成边界并且至少部分用包封物质...

本发明说明了一种用于制造反射层系统的方法以及一种用于施加到Ⅲ／Ⅴ化合物半导体材料（４）上的反射层系统，其中包含磷硅玻璃的第一层（１）直接施加到半导体衬底（４）上。包含氮化硅的第二层（２）位于第一层上。接着，施加金属层（３）。

说明了一种发光二极管装置，该发光二极管装置具有两个彼此反并联连接的发光二极管（１，２）和电源，该电源适于相互独立地在导通方向上为这些发光二极管（１，２）供电。此外还说明了一种光学记录设备和一种用于脉冲驱动发光二极管的方法。

提出一种发光二极管装置，它包含：至少一个具有一个辐射释放面（２）的发光二极管芯片（１），在该发光二极管芯片上所产生的电磁辐射（１３）的大部分是经过该辐射释放面沿主发射方向发出的；一个外壳（５），该外壳从侧面包封着发光二极管芯片（１）；和...

本发明涉及一种包括有源区（７）的发光二极管，其向主辐射方向（１５）发射电磁辐射，其中在主辐射方向（１５）上，减小反射的层序列（１６）设置在所述有源区（７）之后，所述减小反射的层序列（１６）包含：由至少一个层对（１１，１２）构成的ＤＢＲ反...

本发明涉及一种使用薄膜技术制造半导体芯片（１）的方法，其具有以下步骤：将有源的层序列施加到生长衬底（３）上，随后在所述有源的层序列上构造结构化的、反射的导电的接触材料层。接着，将有源的层序列结构化为有源的层堆叠（２），使得反射的导电接触...

提供一种侧面发出辐射的器件，具有一个辐射源，其光轴垂直于器件的安装面延伸，并且具有一个在辐射源后面布置的光学设备，其中光学设备具有一个在截面上呈Ｖ形形成的反射表面和一个从外部看上去呈凸起形成的折射表面，其布置在反射表面和面对辐射源的底面...

本发明说明了一种用于光电子部件的壳体，其具有带有芯片安装面（３）的支承体（７）。在支承体（７）上施加有与支承体（７）分开制造的光学元件（２），其中支承体（７）与光学元件（２）之间的分离面（１５）设置在所述芯片安装面（３）的平面中。此外还...

本发明说明了一种光电子薄膜芯片，其具有在薄膜层（２）的有源区（７）中的至少一个辐射发射区域（８），和设置在辐射发射区域（８）之后的透镜（１０，１２），该透镜通过薄膜层（２）的至少一个部分区域构成，其中透镜（１０，１２）的横向延伸（Φ）大...

光电子部件，包括：半导体芯片（１），它适于发射电磁一次辐射；壳体基体（３），它具有用于容纳半导体芯片（１）的凹进部分（３１）和用于半导体芯片（１）的电连接的电连接线（３２，３３），它们一方面分别与半导体芯片（１）的电接触部（１１，１２）...

本发明涉及一种用于至少一个电子部件的引线框架（１），其具有：至少两个电连接部分（２），它们分别具有至少一个电连接条（３）；以及至少一个固定条（４）。所述引线框架的特征在于，在至少一个固定条（４）与连接部分（２）的相邻的区域之间设置有切口...

说明一种具有至少一个紧固件（２）的装置（１），其中将该紧固件设置用于将所述装置固定在光电元件（７）的壳体（８）上，并且该装置（１）是用于单独的光学元件（１０）的支架。

公开了一种光电器件，它包括器件壳体（２）和具有支承衬底（１１）和发射辐射的层序列（１２）的本体（１）。本体（１）被设置在器件壳体（２）的反射槽（５）中，并且与器件壳体（２）的外部的电连接导体（４１，４２）导电连接。在此，反射槽（５）包括...

根据本发明的光电子器件包括半导体芯片（１）和载体（１０），它们配备有透明的电绝缘封装层（３），其中封装层（３）具有用于露出接触面（６）和载体的接线区（８）的两个空隙（１１、１２），并且导电层（１４）从接触面（６）经由封装层（３）的部分区...

描述了两种用于制造基于Ⅲ／Ⅴ化合物半导体材料的薄膜半导体芯片的方法，其中所述薄膜半导体芯片适合于产生电磁辐射。根据第一方法，将适合于产生电磁辐射的有源层序列（１）施加在生长衬底（２）上，该有源层序列（１）具有面向生长衬底（２）的正面（１...