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奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司专利技术
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司共有665项专利
用于制造具有平面接触的半导体器件的方法以及半导体器件技术
一种用于制造半导体器件的方法,具有步骤: 将一个或多个电子组件(2)敷设到衬底(1)上; 将隔离层(3)敷设到借助衬底(1)上的该至少一个组件(2)产生的形貌结构上; 在隔离层(3)中的所述电子组件的接触位置(8,9)...
光电子器件制造技术
本发明描述了一种光电子器件,该光电子器件包括:半导体本体(3),其在光电子器件工作时产生第一波长的电磁辐射;以及单独的光学元件(9),其在半导体本体的辐射方向上间隔地设置在半导体本体(3)之后。光学元件(9)具有至少一种第一波长转换材料...
用于横向分离半导体晶片的方法和光电子器件技术
在一种用于横向分离半导体晶片(1)的方法中,提供生长衬底(2),将半导体层序列(3)生长到生长衬底上,其中半导体层序列包括设计为分离层(4)的层和至少一个在生长方向上跟随在分离层(4)之后的功能半导体层(5)。随后,离子穿过功能半导体层...
具有设置成发光组的半导体光源的背光照明装置以及发光设备制造方法及图纸
本发明涉及一种通过半导体光源(22a,22b,22c)对于面进行的均匀背光照明。不同的半导体光源组合成类似的发光组(21a,21b)。类似的发光组布置成使得能够实现对于面的均匀背光照明。为了实现均匀的颜色混合,尤其是在边缘(23)处的颜...
用于n型掺杂有机电子元件中电子传输层的新型材料制造技术
用于n型掺杂有机电子元件中电子传输层的新型材料,上述用途以及有机电子元件。本发明涉及基于施主碳烯中间体的用于改善有机电子元件中电子注入和电子传输的新型材料,所述有机电子元件例如为有机发光二极管(OLED)、有机场效应晶体管(OFET)和...
光电子半导体芯片及其制造方法技术
本发明提供了一种具有薄膜半导体本体(8)的光电子半导体芯片 (12),其包括具有适于产生辐射的有源区(3)的半导体层序列(2,20); 以及构建在半导体层序列上的、支承薄膜半导体本体的支承层(7)。
发射电磁辐射的光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术
给出了一种光电子器件,其中该光电子器件具有壳和设置在壳中的发光二极管芯片(1),该发光二极管芯片发射有效辐射。壳具有对有效辐射可穿透的壳材料(5),该壳材料有目的的掺有吸收辐射的材料,用于调节所发射的有效辐射的预先给定的辐射强度或者光强...
发射辐射的器件以及用于制造发射辐射的器件的方法技术
本发明涉及一种发射辐射的器件(1),其具有光学元件(3)和壳体本体(2),该壳体本体具有至少一个固定装置(4),该固定装置配合到光学元件(3)中或者包围该光学元件,其中固定装置(4)被弯曲或者设置有凸起部分(9),使得光学元件(3)不可...
用于连接层的方法,相应的器件和有机发光二极管技术
本发明涉及一种用于借助通过热压形成的接合层将多个分别包含至少一种可热连接的材料的层相连的方法,其中这些层的至少一个层序列具有半导体材料;本发明还涉及一种相应地制造的器件。此外,本发明提出了一种用于制造有机发光二极管的方法和一种有机发光二...
光电子半导体芯片制造技术
本发明公开一种光电子半导体芯片,该光电子半导体芯片在工作时从其正面(7)发射电磁辐射,具有:带有适用于产生电磁辐射的活性区域(4)的半导体层序列(1);和在所述半导体层序列上构造的、无支撑且导电的机械支撑层(10),该支撑层以机械方式支...
光电子半导体芯片制造技术
本发明公开了一种光电子半导体芯片,该光电子半导体芯片在工作时从其正面(7)发射电磁辐射,具有:带有适用于产生电磁辐射的活性区域(4)的半导体层序列(1);和布置在所述半导体层序列上的、单独制造的TCO支撑衬底(10),该TCO支撑衬底具...
检测器装置和检测器部件制造方法及图纸
本发明提出了一种检测器装置(100),其具有微电子半导体芯片(20)和单独的光电子检测器芯片(10),其中检测器芯片设置在半导体芯片上。此外还提出了一种带有这种检测器装置的检测器部件。
照明装置制造方法及图纸
一种照明装置(1),其包括:用于产生辐射的辐射发射二极管(2)、用于射束成形的第一光学元件(5)、用于射束成形的第二光学元件(6)和穿过辐射发射二极管的光轴(4),其中 -第一光学元件具有辐射入射面(51)和辐射出射面(52), ...
为改善有机电子器件加工和性能的中和阳极缓冲层制造技术
一种有机薄膜,包含 酸性ABL材料;和 挥发性碱,加至所述酸性ABL材料,以形成溶液,所述挥发性碱至少部分地中和所述酸性ABL材料中的酸性基团,所述溶液经沉积和干燥形成所述薄膜。
界面调整以改善有机电致发光器件的效率和寿命制造技术
在本发明的至少一个实施方案中,公开了一种OLED器件(405),其中利用沿着相邻层之间的界面布置的金属纳米颗粒来调整OLED的一层或更多层(417,420)的表面。
发射辐射的光电子器件制造技术
本发明公开了一种光电子器件,具有:半导体本体(1),其包括有源半导体层序列(2),该有源半导体层序列适于产生第一波长的电磁辐射,该电磁辐射从半导体本体(1)的前侧(3)发射。此外,该器件还包括在半导体本体(1)辐射方向上设置在该半导体本...
可表面安装的光电器件及其制造方法技术
本发明提供了一种可表面安装的器件,其具有光电半导体芯片(1)、在该半导体芯片(1)上而成形的型件(2)、至少部分地通过该型件(2)的表面来构成的安装面(3)、水平方向上超出该型件(2)或者与该型件(2)齐平的至少一个连接位置(4a、4b...
结构化发光转换层制造技术
本发明公开了一种装置如光源,其具有OLED器件和沉积在所述OLED器件的衬底或透明电极上和在所述OLED器件的外部上的结构化发光转换层。该结构化发光转换层包含以特定图案布置的特定形状的区域如变色区域和非变色区域。
具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法技术
本发明提供一种发光二极管芯片,该发光二极管芯片具有至少一个电流阻挡层。该电流阻挡层适合于通过降低的电流密度选择性防止或减少在被电连接体横向覆盖的区域中产生辐射。电流扩展层含有至少一种TCO(透明导电氧化物,Transparent Con...
LED半导体本体和LED半导体本体的应用制造技术
描述了一种LED半导体本体,具有产生射线的第一活跃层和产生射线的第二活跃层,其中第一活跃层和第二活跃层在垂直方向上重叠地设置。
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