本发明涉及具有半导体特性的非共轭的发光化合物及其制备和其在有机发光二极管（ＯＬＥＤ）、有机太阳能电池、有机光探测器和有机场效应晶体管的应用。由此涉及Ｋ型共聚芳基硼烷，其首先通过施加一适当的电场和／或通过在结构类型中芳基取代基Ｒ给体取代进...

本发明建议一种用于至少两个辐射元件、尤其是发光二极管的外壳，其具有一个结构支架（１）和一个设置在结构支架（１）上的反射装置（２），其中所述反射装置具有许多反射体，它们分别用于容纳至少一个辐射元件，并且它们通过一个固定装置（４）相互固定。

本发明涉及一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件。在所述方法中，提供具有衬底和生长表面的芯片复合基底。在生长表面上构建具有多个窗的掩膜材料层，其中所述窗中的大多数窗具有...

本发明公开了一种制造有机电致发光显示器的方法，该方法的步骤包括：提供透光基板；将至少一个透明电极以条形方式设置在该透光基板上，该透明电极由透光导电膜制成；在该子组件上形成至少一个有机层，该至少一个有机层由有机电致发光介质制成，从而该至少...

要求保护一种薄膜发光二极管芯片（５），其具有一个被布置于载体元件（２）上的外延层序列（６）和一个被布置于该外延层序列（６）的朝向所述载体元件（２）的主面上的反射层（３），其中所述外延层序列具有一个产生电磁辐射的有源区（８），所述反射层将...

本发明涉及一种具有半导体本体的发射辐射的半导体元件，该半导体本体包含第一主表面（５）、第二主表面（９）和具有产生电磁辐射的有源区（７）的半导体层序列（４），其中该半导体层序列（４）被布置在第一和第二主表面（５，９）之间，第一电流扩展层（...

氧氮合硅酸盐类型的发光材料，具有用二价铕掺杂的阳离子Ｍ，并具有基本式Ｍ↓［（１－ｃ）］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［２］Ｎ↓［２］∶Ｄ↓［ｃ］，其中以Ｍ＝Ｓｒ或者Ｍ＝Ｓｒ↓［（１－ｘ－ｙ）］Ｂａ↓［ｙ］Ｃａ↓［ｘ］使用，其中０≤ｘ＋ｙ＜０．５，且其...

本发明涉及发射辐射和／或接收辐射的半导体组件，该组件具有发射辐射和／或接收辐射的半导体芯片以及塑料模制件，该模制件对于由半导体组件待发射和／或待接收的电磁辐射是可穿透的，并且半导体芯片借助该模制件至少部分地再成形，该组件还具有外部的电气...

发光二极管芯片（１），具有基于ＧａＮ的进行辐射的外延层序列，该外延层序列具有一个有源区、一个ｎ掺杂层和一个ｐ掺杂层。所述ｐ掺杂层在其背向有源区的主面上设有进行反射的接触金属敷层（６），该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层（１５）和一...

本发明涉及具有半导体性能的发光化合物及其制备方法和其在有机发光二极管（ＯＬＥＤＳ）中的应用。还涉及到其中包括中心原子选自过渡金属系统中第８副族的金属络合物的共聚物。

在薄膜ＬＥＤ中，通过构造两维电子气或者空穴气来提高电流扩展层（９）的横向导电率，该薄膜ＬＥＤ具有：在主辐射方向（１５）上发射电磁辐射（１９）的由氮化物化合物半导体制成的活性层（７），在主辐射方向（１５）上跟随在活性层（７）之后的、由第一...

本发明提出了高功率发光二极管用的半导体芯片（１），其纵侧比其横侧长得多，从而明显地提高了光输出。

本发明涉及一种半导体芯片（１０）。为了提高光输出，活性层（３）通过切口（１１）切断。这样，从产生光的一个点（６）看去，活性层（３）的侧面（９）便暴露在一个大的空间角下并缩短了活性层（３）内的光程。

本发明涉及配有荧光变换元件（７）的辐射半导体组件，其中半导体（３）被安置在基体（１）的一个凹穴中。在该凹穴中，围绕半导体地形成一个盆状区域，该盆状区域容纳荧光变换元件（７），该荧光变换元件包封着半导体（３）。该盆状区域被制成在凹穴内的凹...

说明了一种包括具有有源区（４００）和横向的主延伸方向的半导体功能区域（２）的光电组件（１），其中该半导体功能区域包括至少一个穿过该有源区的贯穿部（９、２７、２９），在该贯穿部的区域内设置有连接导体材料（８），其与该有源区至少在该贯穿部的...

发光二极管装置，具有至少一个高功率发光二极管（３４），其中，所述高功率发光二极管（３４）被安装到柔性印刷电路板（１０）上。

在制备有机层之前，在有机电子器件的下电极层上沉积沉淀剂。在沉积所述沉淀剂之后，在沉淀剂之上沉积有机材料。当使有机材料干燥成被处理表面上的膜时，沉淀剂引起更均匀且平坦的轮廓。

本发明提出了一种光电子组件（１），该光电子组件具有壳体（２）和至少一个设置在该壳体上的半导体芯片（８），其中该壳体具有：基底部件（１３），该基底部件（１３）包括连接体（１６），在该连接体上设置有连接导体材料（６、７）；以及反射部件（１４...

本发明涉及一种用于制作发光半导体元件的方法，这种元件的半导体本体由一个若干不同的Ⅲ－Ⅴ族－氮化物－半导体层（１）的层叠构成并具有第一个主面（３）和第二个主面（４），其中，产生的辐射的至少一部分通过该第一主面输出，且该第二主面具有一个反射...

本发明说明了一种根据预先给定的光谱灵敏度分布（９）的用于探测辐射（８）的辐射探测器，其中该灵敏度分布（９）在预先给定的波长λ↓［０］处具有最大值，该辐射探测器包括半导体本体（１），该半导体本体（１）具有用于产生探测器信号的且为了辐射接收...