【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光二极管装置、一种光学记录设备以及一种用于脉冲驱动至少一个发光二极管的方法。文献US 4,843,416说明了一种具有发射光的二极管和产生脉冲的电路的自动聚焦照相机。借助产生脉冲的电路，通过二极管来产生单个闪光。光电二极管接收由对象所反射的光脉冲。借助所接收到的光脉冲的振幅来确定距对象的距离。文献US 6,185,240说明了一种激光二极管，第二二极管反并联地连接到该激光二极管。在此，第二二极管是使激光二极管免受静电放电(ESD-electro static discharge)的保护装置。第二二极管防止激光二极管受到ESD电压脉冲的影响，该ESD电压脉冲可在激光二极管的阻流方向(Sperrrichtung)出现。文献WO 98/12757说明了一种具有发射辐射的半导体芯片的半导体器件，该发射辐射的半导体芯片辐射在420nm与460nm之间的蓝色光谱范围中的电磁辐射。半导体芯片至少部分由填料包围，该填料包含发光转换材料，该发光转换材料适于将由半导体芯片所发出的辐射的一部分转换成较长波长的辐射、优选地转换成黄色光谱范围中的辐射。因而，半导体...
【技术保护点】
一种发光二极管装置，其具有：两个发光二极管（１，２），所述两个发光二极管（１，２）彼此反并联地连接，其中，设置装置（８），所述装置（８）适于利用方向交变的电流为所述发光二极管供电。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2004-6-30 102004031689.9;DE 2004-8-31 1020040421.一种发光二极管装置，其具有两个发光二极管(1，2)，所述两个发光二极管(1，2)彼此反并联地连接，其中，设置装置(8)，所述装置(8)适于利用方向交变的电流为所述发光二极管供电。2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述装置(8)适于利用可预定方向和强度的电流为所述发光二极管供电可预定的时间间隔。3.根据权利要求1或者2所述的发光二极管装置，其中，所述装置(8)是脉冲宽度调制电路。4.根据权利要求1至3之一所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管(1，2)被布置在共同的外壳(5)中。5.根据权利要求1至4之一所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管(1，2)适于发射不同波长的光。6.根据权利要求1至5之一所述的发光二极管装置，其中，设置发光转换材料(7)，所述发光转换材料(7)适于对由所述发光二极管(1，2)之一所发射的电磁辐射至少部分地进行波长转换。7.根据权利要求1至6之一所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管(1，2)由填料(6)包围。8.根据权利要求7所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管之一(2)适于发射波长在很大程度上无阻挡地穿透所述填料(6)的电磁辐射。9.根据权利要求6至8之一所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管(1)的电磁辐射与其辐射的进行了波长转换的成分混合成白色光。10.根据权利要求9所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管之一(1)适于，发射波长在420nm与470nm之间的电磁辐射，并且其中，所述发光转换材料(7)适于将所述辐射的一部分转换成波长在530nm与580nm之间的电磁辐射。11.根据权利要求1至10之一所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管之一(2)适于发射以下光谱范围之一中的电磁辐射红色、绿色、黄色。12.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管之一(2)适于发射波长在600nm与750nm之间的红色光谱范围中的电磁辐射。13.根据权利要求1至12之一所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管构成相互的ESD保护装置。14.根据权利要求1至13之一所述的发光二极管装置，其中，至少一个其它的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：N法克特奇安，G基尔克伯杰，G库哈恩，M罗斯，M赛勒，A斯蒂克，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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