一种电器，具体包含与外部环境隔离的内部空间（１）和至少一个布置在内部空间（１）中用于将电磁辐射发射到内部空间（１）中的辐射发射装置（４、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９）。

本发明说明了一种用于发射电磁辐射的光电子器件的壳体。壳体的外侧面至少部分地设置有屏蔽层，该屏蔽层适合于屏蔽电磁辐射。通过这种方式，应该尽可能地避免对于一些应用不利的从壳体侧面发射电磁辐射。此外，说明了一种带有这种壳体的发射电磁辐射的器件...

一种具有柱（２７０）的ＯＬＥＤ装置（２００），柱的横截面在顶部较大。这些柱（２７０）在沉积时把一导电层（２１５）构造成各柱之间部分和柱顶面上的部分（２１５ａ、２１５ｂ）。通过形成一单个的不与用来沉积该ＯＬＥＤ装置（２００）的有机功能层（...

本发明涉及一种具有两个或多个并联的ＬＥＤ串（ＬＫ１、ＬＫ２、ＬＫ３）的ＬＥＤ阵列的电路布置，在该ＬＥＤ串中分别设置有至少一个ＬＥＤ（２），其中在两个或多个ＬＥＤ（２）的情况下这些ＬＥＤ串联。所述ＬＥＤ串（ＬＫ１、ＬＫ２、ＬＫ３）的阳极侧...

在用于从背后照亮包括光阀的图像再现装置的照明装置中规定，在导热载体上以网格的形式布置分别由至少一个发光二极管构成的光点。优选地，光点的面积分别小于由网格所给定的面积。

本发明涉及一种具有多个通过一层绝缘层（３）与一个金属载体（４）连接的发光元件的光源模块。为了防止机械作用和为了形成反射器，这些发光元件用一个框架（１０）围住，该框架通过膨胀缝（１３）分成多个部分，这样就可吸收由于温度变化所引起的应力。

本发明公开了一种有机电子器件，其对潮气和氧化剂是敏感的，包括基板、包括活性元件且具有地形台阶的有机功能区域、位于该有机功能区域上的活性聚合物隔层，该隔层能够结合潮气和氧化剂并且平坦化该有机功能区域的地形台阶。一个罩封装该有机功能区域和该...

本发明涉及基于空间位阻施主芳基硼烷并且用于改善有机电子元件中电子注入和电子传输的新型材料，所述有机电子元件例如为有机发光二极管（ＯＬＥＤ）、有机场效应晶体管（ＯＦＥＴ）和基于有机光电的元件，尤其是有机太阳能电池。

一种光学投影设备，具有：　－多个发光二极管芯片（１）和　－具有光入射面（２２）的至少一个光学元件（２），其与至少一个发光二极管芯片（１）关联，其中　发光二极管芯片（１）的光耦合输出面（１００）以折射率匹配的方式光学连接到所关联的光学元件...

本发明说明了一种投影设备，其具有光调制器以及至少一个光源，所述光调制器具有光接收区域，所述光接收区域具有大小为Ａ↓［Ｍ］的待照亮的横截面和对于入射光的最大接收角α，借助所述光源在其工作时产生用于照亮光接收区域的横截面的光锥，并且所述光源...

本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区（１）和至少一个用于光泵浦垂直发射区（１）的单片式集成泵浦辐射源（２）。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区（１）...

本发明涉及一种半导体装置，其包括具有有源垂直发射层（３）的光泵浦的垂直发射器和泵浦辐射源，借助该泵浦辐射源产生沿横向传播的泵浦辐射，该泵浦辐射场将在泵浦区域中的垂直发射层（３）光泵浦，其中泵浦辐射场的波长小于由垂直发射器生成的辐射场（１...

说明了一种表面发射的半导体激光器部件，特别是电泵浦的半导体激光器部件，具有垂直的发射方向，其被设置用于借助外部光学谐振器（４，５）产生激光辐射，半导体激光器部件包括具有半导体层序列（２）的半导体本体，半导体本体具有横向的主伸展方向和为产...

本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器（１），该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源（２），用于垂直发射器（１）的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的...

说明了一种光电的半导体元件，包括半导体本体（１），该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层（３）的垂直发射极区域（２）、至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层（３）的抽运源（４）和辐射穿透表面（２６），在所述垂直发射极层中产生的电...

提供了一种光电子半导体芯片（１），该光电子半导体芯片（１）具有半导体主体（２），该半导体主体（２）包括半导体层序列和适合于产生辐射的活性区，并且该光电子半导体芯片（１）具有辐射可透过并且导电的接触层（６），该接触层（６）布置在半导体主体...

本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构（１）和至少一个用于量子阱结构（１１）的光抽运的抽运辐射源（２０），而抽运辐射源（２０）则具有一个边缘发射的半导体结构（２１）。产生辐射的量子阱结构（...

本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，该器件具有至少一个产生辐射源，该抽运辐射源具有一个边缘发射的半导体结构（３０），而且这个边缘发射的半导体结构（３０）和量子阱结构（１１）外延生长在一个共同的衬底（１）上。其中该抽运辐射源的边...

本发明涉及一种在ＩＩＩ－Ｖ族氮化物半导体材料的基板制作具有一个薄膜元件（１１）的产生辐射的半导体芯片的方法，首先在外延衬底（１００）上淀积薄膜元件（１１），该薄膜元件与一个载体（５）连接，然后从该薄膜元件去掉外延衬底（１００）。外延衬底...

本发明涉及一种光抽运的半导体激光装置，它有一个垂直发射体（１），该发射体具有一个中央波导管（３）和一个布置在中央波导管（３）之内的具有至少一个量子层（５）的量子阱结构，它还有一个抽运辐射源，它使量子室腔结构光抽运，而且它至少包括有一个光...