光电组件及其制造方法以及具有多个光电组件的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种光电组件、具有多个光电组件的装置和用于制造光电组件的方法。一种光电组件（１），包括具有有源区（４００）和横向的主延伸方向的半导体功能区域（２），其中所述半导体功能区域具有至少一个穿过所述有源区的贯穿部（９、２７、２９），并在所述贯穿部的区域内设置有连接导体材料（８），其与所述有源区至少在所述贯穿部的一部分区域内电隔离，并且在所述半导体功能区域之后设置有至少一种吸收物质或一种荧光物质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电组件、一种具有多个光电组件的装置和一种用于制 造光电组件的方法。
技术介绍
在制造这种类型的常规的光电组件时，通常需要单处理步骤，如例如在 壳体中布置半导体功能区域或包括半导体功能区域的半导体芯片，半导体芯片通过接合线与外部端子的接触，或以保护的包封(Umhuellung)来将半导体芯片压注包封。与可同时在多个元件上执行的处理步骤相比，单处理步骤通常是成本密集的。半导体功能区域例如可在晶片复合(Waferverbmid)中由半导体层序列 来构建，其中该晶片复合包括在承载层上所设置的半导体层序列。之后晶片 复合通常被分割成半导体芯片，其在用于光电组件的单处理步骤中可被继续 处理。 、此外，在常规的组件中，构建非常平的结构常常由于半导体功能区域借 助接合线的接触而变得困难。接合线的弧通常相对高，且可基本共同确定光 电组件的高度。与半导体功能区域分离构建的壳体，其空间尺寸常常明显大 于半导体功能区域的空间尺寸，也可使小光电组件的构建变得困难。
技术实现思路
本专利技术的任务是，说明一种光电组件和一种具有多个可简化地、且成本 有利地制造的光电组件的装置，以及一种简化的用于光电组件的制造方法。根据第一实施形式，根据本专利技术的光电组件包括具有有源区和横向主延 伸方向的半导体功能区域，其中半导体功能区域具有至少一个穿过该有源区的贯穿部(Durchbruch)，且在贯穿部的区域中设置有连接导体材料，该连 接导体材料至少在贯穿部的部分区域中与有源区电隔离。根据本专利技术的另一实施例，光电组件包括具有有源区和横向主延伸方向 的半导体功能区域，其中半导体功能区域具有横向的、形成有源区的边界的 侧面，且在横向上在侧面之后设置有连接导体材料，其至少在侧面的部分区 域中与有源区电隔离。必要时，侧面可横向地形成半导体功能区域的边界。 侧面可尤其部分地在横向上形成半导体功能区域的边界。此外侧面可平坦 地，即基本上没有凹入或凸起地、特别是在横向上没有凹处地来实施。优选的是，在半导体功能区域之后设置有由造型材料(Formmasse)构 成的层，其可自支承地(freitmgend)或机械上能承载地来构建。该造型材 料层可进一步以包封(Umhuellung)、封装元件或稳定层的形式来构建，如 下面更详细地阐述的那样。根据本专利技术的组件可有利地尽可能或完全在晶片复合中制造。在根据本 专利技术的光电组件中，相对成本密集和/或昂贵的单处理步骤的数目可有利地 减少。特别有利的是可避免单处理步骤。在本专利技术的范围内，在制造光电组件期间设置在承载层上的半导体层序 列被视为晶片复合，其中该半导体层序列为了构建多个半导体功能区域而设 置。在组件制造期间，半导体功能区域至少部分地在承载层上的复合 (Verbund)中由半导体层序列的区域来形成。承载层可通过生长衬底来形 成或包括这种生长衬底，其中半导体层序列在该生长衬底上例如被外延地制 造。必须说明，在本专利技术的范围内，在晶片复合中制造光电组件期间，在半 导体层序列中产生的穿过有源区的贯穿也可被视为贯穿部。特别是用于制成的光电组件的电接触的接触结构可至少部分地、优选为 完全地已经在晶片复合中被制造。优选的是，光电组件的接触至少部分地通过导电的连接导体材料实现，其可己经设置在形成有源区边界的侧面的区域 内或在穿过有源区的贯穿部的区域内的晶片复合中。连接导体材料例如含有金属，如Au、 Al、 Ag、 Ti、 Pt、 Sn或具有这些材料中的至少一个的合金。 在本专利技术的一种优选的扩展方案中，连接导体材料在横向上，特别是在有源区的区域内，与半导体功能区域相间隔，由此减小在组件的工作中短路的危险。为此连接导体材料可设置在半导体功能区域的特别是横向的边缘区域中和/或与侧面相间隔。在本专利技术的另一优选的扩展方案中，半导体功能区域具有至少一个在横向上的凹处，特别优选的是，其至少部分地包围穿过有源区的贯穿部。该贯穿部特别可构建为在横向上的半导体功能区域的凹处和/或侧面具有在横向上的凹处。在本专利技术中，贯穿部可特别地以不完全穿透半导体功能区域的空隙或完 全穿透半导体功能区域的凹陷的形式来构建，其中空隙或凹陷可至少部分 地，优选完全地包围或形成穿过有源区的贯穿部。优选的是，贯穿部基本上垂直于半导体功能区域的横向的主延伸方向， 在垂直方向上通过整个半导体功能区域而延伸。为此，贯穿部例如构建为在 半导体功能区域中的凹陷。优选的是，连接导体材料至少部分地通过隔离材料与有源区电隔离。隔 离材料优选在贯穿部或侧面的区域内，特别是直接地，设置在有源区上，且 例如含有氮化硅，如SiN或Si具，氧化硅，如SiO或Si02，或氮氧化硅， 如SiON。优选的是，隔离材料这样涂覆贯穿部，特别是凹处，或者隔离材料优选 地，特别是直接地，这样设置在侧面上，使得有源区通过隔离材料与连接导 体材料电隔离。因此可减小有源区通过连接导体材料短路的危险。特别优选的是，至少贯穿部几乎整个的壁被涂覆以隔离材料，或至少几 乎整个侧面被覆盖以隔离材料，使得最大程度地减小在组件工作中短路的危 险。9此外优选的是，连接导体材料至少在半导体功能区域几乎整个垂直的走 向上设置，这可有利地使在晶片复合中制造这种光电组件时的接触结构的构 建变得容易。在垂直方向上沿着整个半导体功能区域延伸的连接导体材料，特别是与 相应地设置的隔离材料相结合，经由有源区的区域在垂直方向上可以实现光 电组件或其半导体功能区域的电接触，而不会增大短路的危险。光电组件的 接触结构的这个部分可有利地在晶片复合中制造。在本专利技术的另一优选的扩展方案中，半导体功能区域具有第一主面和与 第一主面关于有源区相对的第二主面，其中优选的是，半导体功能区域在第 一主面方面与连接导体材料导电地连接。这例如可通过第一接触部来实现，其在半导体功能区域的第一主面方面 与半导体功能区域并与连接导体材料传导地连接。这种第一接触部，例如含有金属，如Au、 Al、 Ag、 Pt、 Ti、 Sn或具有这些材料中的至少一种的合金、 譬如AuGe，同样可有利地在晶片复合中制造。在连接导体材料和在半导体功能区域的第一主面上的第一接触部之间 的传导的连接可以实现在第二主面方面的半导体功能区域的第一主面的电 可连接性，其中所述导体材料可以在贯穿部的区域内、在半导体功能区域的 边缘区域上或凹处中，特别是沿着侧面，在垂直方向中在半导体功能区域的 垂直走向上延伸。必要时，由连接导体材料所形成的连接导体和第一接触部整块地，特别 是以相同的材料来实施。在本专利技术的一种有利的改进方案中，连接导体材料与半导体功能区域的 第二主面电隔离。因此可最大程度地降低短路的危险。在本专利技术的另一优选的扩展方案中，在第二主面方面，设置有例如含有 金属，如Au、 Al、 Ag、 Ti、 Pt、 Sn或具有这些材料中的至少一种的合金， 譬如AuGe的第二接触部，其与半导体功能区域、特别是为了电流注入，而 在第二主面方面导电地相连接。10光电组件可通过第一和第二接触部而电连接。特别是光电组件可表面安装地构建为SMD组件(SMD:表面可安装器件)。此外该组件可设置用于 混合模型。在第一接触部和可从第一主面延伸到第二主面的连接导体材料之间的 传导的连接与第二接触部一起构成接触结构，其使光电组件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电组件（１），包括具有有源区（４００）和横向的主延伸方向的半导体功能区域（２），其特征在于，　－所述半导体功能区域具有至少一个穿过所述有源区的贯穿部（９、２７、２９），并在所述贯穿部的区域内设置有连接导体材料（８），其与所述有源区至 少在所述贯穿部的一部分区域内电隔离，并且　－在所述半导体功能区域之后设置有至少一种吸收物质或一种荧光物质。

【技术特征摘要】
DE 2004-2-20 102004008853.51.一种光电组件(1)，包括具有有源区(400)和横向的主延伸方向的半导体功能区域(2)，其特征在于，-所述半导体功能区域具有至少一个穿过所述有源区的贯穿部(9、27、29)，并在所述贯穿部的区域内设置有连接导体材料(8)，其与所述有源区至少在所述贯穿部的一部分区域内电隔离，并且-在所述半导体功能区域之后设置有至少一种吸收物质或一种荧光物质。2. 根据权利要求1所述的光电组件，其特征在于，所述连接导体材料(8) 至少部分地通过隔离材料(10)与所述有源区(400)电隔离。3. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述贯穿部构建 为在横向上的凹处(27)，或者侧面(26)具有在横向上的凹处。4. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述隔离材料(10) 至少部分地涂覆所述贯穿部(9、 27、 29)，或者至少部分地设置在侧面 (26)上。5. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述贯穿部(9、 27、 29)在垂直方向上穿过整个所述半导体功能区域(2)而延伸。6. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述半导体功能 区域(2)具有第一主面(6)和与所述第一主面关于所述有源区(400) 对置的第二主面(13)，并且所述半导体功能区域在所述第一主面侧与所 述连接导体材料(8)导电地相连接。7. 根据权利要求6所述的光电组件，其特征在于，所述连接导体材料(8) 与所述半导体功能区域(2)的所述第二主面(13)电隔离。8. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述贯穿部(9、 27、 29)的横向的尺寸为100Mm，优选为50Mm或更小。9. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述半导体功能 区域(2)至少部分地由包封(4)成形。10. 根据权利要求9所述的光电组件，其特征在于，所述包封(4)对于待由所述有源区(400)产生或接收的辐射是能穿透的。11. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述有源区(400) 被基本上密闭的封装(16)包围。12. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述半导体功 能区域(2)设置在承载体(3)上。13. 根据权利要求12所述的光电组件，其特征在于，所述连接导体材料 (8) —直延伸到所述承载体的与所述半导体功能区域对置的一侧。14. 根据权利要求1或2所述的光电组件，其特征在于，所述组件(1) 能够在晶片复合(300、 200)中实现。15. —种光电组件(1)，包括具有有源区(400)和横向的主延伸方向的 半导体功能区域(2)，其特征在于，一所述半导体功能区域具有至少一个穿过所述有源区的贯穿部(9、 27、 29)，并在所述贯穿部的区域内设置有连接导体材料(8)，其与所述 有源区至少在所述贯穿部的一部分区域内电隔离，并且一在所述有源区和/或半导体功能区域之后设置有反射层。16. —种光电组件(1)，包括具有有源区(400)和横向的主延伸方向的 半导体功能区域(2)，其特征在于，一所述半导体功能区域具有至少一个穿过所述有源区的贯穿部(9、 27、 29)，并在所述贯穿部的区域内设置有连接导体材料(8)，其与所述 有源区至少在所述贯穿部的一部分区域内电隔离，并且一半导体功能区域具有至少一个边缘侧的斜面。17. —种光电组件(1)，包括具有有源区(400)和横向的主延伸方向的 半导体功能区域(2)，其特征在于，一所述半导体功能区域具有横向的、形成所述有源区边界的侧面 (26)，并在横向上在所述侧面之后设置有连接导体材料(8)，其与所述 有源区至少在所述侧面的一部分区域内电隔离，并且一在所述半导体功能区域之后设置有至少一种吸收物质或一种荧光物质。18. 根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉尔夫维尔特，赫贝特布伦纳，斯特凡伊莱克，迪特尔艾斯勒，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]