【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。在传统的用于制造带有支承衬底的半导体本体的方法中，将支承衬底 晶片和半导体层序列整面彼此相连。于是，划分为单个的半导体本体只有通过穿过半导体层序列以及支承衬底晶片的切口 (Schnitte)才可能，其 中这些切口如下走向使得在一侧形成半导体本体边界的、穿过半导体层 序列和支承衬底晶片的切口分别处于共同的平面或者面中，或者换句话 说，它们是单个的切口。半导体层堆叠和关联的支承衬底的彼此朝向的面于是必须具有相同 的尺寸并且齐平地设置。这种半导体本体通常与设置在辐射耦合输出面上 的掩^垫电接触。例如，为了避免M垫的遮挡，希望的是，该M垫不是设置在半导 体层堆叠上，而是设置在支承衬底上。为此，例如可以制造如下的半导体 本体其中半导体层堆叠并不完全覆盖支承衬底。例如，在出版物DE 103 39 985 Al中提出了一种半导体本体，其中将半导体层堆叠设置在支承衬 底上，该支承衬底具有比半导体层堆叠更大的基本面。借助传统的方法， 不能在晶片复合结构中制造这种半导体本体。本专利技术的任务是，提出一种简化的和成本低廉的方法，用于制造带有 支^N底的发射辐射...
【技术保护点】
一种用于制造多个带有支承衬底的发射辐射的半导体本体的方法，包括以下步骤： －提供支承衬底晶片（１）； －制造适于产生电磁辐射的半导体层序列（２）； －建立半导体层序列与支承衬底晶片的结构化连接； －借助穿过半导体层序 列（２）的切口（６）将半导体层序列（２）划分为多个半导体层堆叠（２００）； －借助穿过支承衬底晶片（１）的切口（７）将支承衬底晶片（１）划分为多个支承衬底（１００）；以及 －将带有关联的支承衬底（１００）的半导体层堆叠（２００） 分割为单个的半导体本体（１０），其中 －结构化的连接实施为使得至...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2006-5-3 102006020537.5;DE 2006-7-19 10200603351. 一种用于制造多个带有支承衬底的发射辐射的半导体本体的方法，包括以下步骤-提供支承衬底晶片(1)；-制造适于产生电磁辐射的半导体层序列(2)；-建立半导体层序列与支承衬底晶片的结构化连接；-借助穿过半导体层序列(2)的切口(6)将半导体层序列(2)划分为多个半导体层堆叠(200)；-借助穿过支承衬底晶片(1)的切口(7)将支承衬底晶片(1)划分为多个支承衬底(100)；以及-将带有关联的支承衬底(100)的半导体层堆叠(200)分割为单个的半导体本体(10)，其中-结构化的连接实施为使得至少一个半导体层堆叠(200)与恰好一个关联的支承衬底(100)相连；以及-至少一个穿过支承衬底晶片的切口未被穿过半导体层序列的切口延长为使得产生穿过支承衬底晶片和半导体层序列的直线切口。2. 根据权利要求1所述的用于制造多个发射辐射的半导体本体的方 法，其中建立结构化的连接包括构建支承衬底晶片(l)和半导体层序列(2)之间的整面的连接，以及随后将所述整面的连接局部地脱开。3. 根据权利要求2所述的用于制造多个发射辐射的半导体本体的方 法，其中产生或者标识牺牲层(4),沿着该牺牲层进行连接的局部脱开。4. 根据权利要求2至3中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的 半导体本体的方法，其中借助激光辐射(9)来实现连接的局部脱开。5. 根据权利要求1所述的用于制造多个发射辐射的半导体本体的方 法，其中通过将半导体层序列(2)仅仅局部地与支承衬底晶片(l)相连 来建立结构化的连接。6. 根据上^利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中借助连接层(5)来建立支承衬底晶片(l)和半导 体层序列(2)之间的结构化的连接。7. 根据权利要求6所述的用于制造多个发射辐射的半导体本体的方 法，其中除了半导体层序列(2)和/或支承衬底晶片(1)也将连接层(5) 进行划分。8. 根据权利要求6所述的用于制造多个发射辐射的半导体本体的方 法，其中建立结构化的连接包括焊接工艺。9. 根据上述权利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中穿过支承衬底晶片(1)的切口 (7)和/或穿过半 导体层序列(2)的切口 (6)借助机械方法、特别是通过锯割、或者借助 激光辐射来实现。10. 根据上述权利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中将接触层(14)施加到至少一个半导体本体(10) 上，该接触层至少部分地覆盖所述半导体本体的半导体层堆叠(200)的 背离支承衬底(100 )的正面(201),并且至少覆盖关联的支承衬底(100 ) 的端子区域(120)的未被半导体层堆叠(200)覆盖的部分。11. 根据权利要求10所述的用于制造多个发射辐射的半导体本体的 方法，其中接触层(14)也伸展到半导体层堆叠(200)的至少一个侧面(221)上，并且至少部分地覆盖该侧面。12. 根据权利要求10至11中的任一项所述的用于制造多个发射辐射 的半导体本体的方法，其中接触层的至少一个部分区域是至少部分透射辐射的。13. 根据上述权利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中接触层(14)基于透明导电氧化物、特别是铟锡氧 化物(ITO)来制造。14. 根据上i^JC利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中在至少一个半导体本体(10 )中，在构建接触层(14 ) 之前，将电绝缘的第一层(13a)至少施加到关联的支承衬底(100)的端 子区域(120)的一部分上。15. 根据上#利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中将电绝缘的第二层(13b)施加到至少一个半导体 本体(10)上，所述第二层至少部分地覆盖半导体层堆叠(200)的至少 一个侧面(221)。16. 根据上i^利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半导体本体的方法，其中在半导体层堆叠的正面的俯视图中，至少一个穿过半导体层序列(2)的切口 (6)和相邻的穿过支M底晶片(1)的切口 (7)彼此偏移50pm或者更多，特别是偏移lOOnm或者更多。17. 根据上述权利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中在至少一个半导体本体(10)的支承衬底(100) 的端子区域(120 )上、特别是在接触层(14 )上构建第一电端子层(15 ), 该第一电端子层导电地与半导体层堆叠(200)的正面(201)相连。18. 根据上述权利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中在至少一个半导体本体(10)的支承衬底(100) 的端子区域(120 )上构建第二电端子层(16 )，该第二电端子层导电地与 半导体层堆叠(200)的与所述正面(201)对置的背面(302)相连。19. 根据上a利要求中的任一项所述的用于制造多个发射辐射的半 导体本体的方法，其中在至少一个半导体本体(IO)中，在半导体层堆叠 的第一部分区域(210)的背面(212)上构建第二电端子层(16)，其中 所述第一部分区域突出于关联的支承衬底(100)的边缘(111)之外。20. 根据上述权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：福尔克尔黑勒，泽利科什皮卡，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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