光电子器件制造技术

光电子器件，具有一个基体或壳体（２）、至少一个布置在基体缺口中的光电子半导体芯片（３）、和一种在缺口中埋入至少一个半导体芯片的浇注材料（５），该浇注材料（５）由透明材料制成，其中，该透明的浇注材料（５）是漫散射地构成的，并尤其含有散射体颗粒（６），在这些散射体颗粒（６）上漫射地散射射到它们上面的光线。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种按权利要求1前序部分所述的光电子器件，尤其是一种可表面安装的光电子器件。在常规的可表面安装的光电子器件中，首先如下来制造预加壳体的元件，使得用合适的合成材料围绕预制的引线架来喷注，该合成材料形成了元件的壳体。该元件例如在上侧面上具有洼槽或缺口，引线架接头从相对的两侧引入该洼槽或缺口中，其中，将例如像LED芯片那样的半导体芯片在一个接头上粘接和电气上接点接通。于是将清澈透光的浇注材料填入该缺口中。例如从文献F.Mllmer和G.Waitl著的″表面安装用的西门子SMT顶部LED(TOPLED)″，西门子元件29(1991)，第4期，147-149页中公开了可表面安装的光电子器件的这种基本形式。在这些公知的可表面安装的构造形式中可以如下来实现很有方向性的辐射，使得由合成材料壳体形成的侧壁构成为斜置的反射器。按壳体形式或反射器形式不同，器件可以设计成所谓的顶视器(Toplooker)，即具有基本上垂直于器件安装平面的主射束方向的，或设计成所谓的侧视器(Sidelooker)，即具有基本上平行于或以锐角对着器件安装平面的主射束方向的。例如在EP 0 400 175 本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有布置在基体或壳体（２）的缺口中的、发射射束的半导体芯片（３）的光电子器件，其中，所述的基体或壳体（２）由一种材料制成，该材料对于由所述半导体芯片（３）发射的射束是至少部分地起吸收作用的，并且所述的半导体芯片（３）大部分通过芯片侧壁来发射它的射束，并且所述的半导体芯片（３）在所述缺口中至少部分地被埋入芯片包封（５）中，尤其合成材料中，该芯片包封对于由所述半导体芯片（３）发射的射束基本上是透射的，其特征在于，如此漫散射地构成所述的芯片包封（５），使得在由所述半 导体芯片（５）侧向地向所述基体或壳体（２）方向发射出的射束，射到所述基体或壳体（２）的界靠着所述缺口的一...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K阿恩德特，N法希特奇安，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]