本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有析氢层的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，多量子阱、p型半导体和析氢层，所述析氢层在p型半导体上方，并浸没在电化学溶液中，通过电化学方法在外加偏压下吸附p型半导体的Mg

本实用新型提出了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依...

本发明是关于一种LED芯片结构及其制作方法。该LED芯片结构具有一种具有表面微结构的透明导电层，该微结构Ra值在nm量级，光线经过微结构的反射，可以有效改变传播方向，降低出光面的全反射几率，最终提升器件的光效。最终提升器件的光效。最终提...

本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法，n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上，P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖...

本发明提供一种带孔洞钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层的上部表面凸出设置有脊条，脊条包括P覆盖层、P接触层和P接触电...

本发明提供一种GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法，包括依次层叠设置的P型电子阻挡层、P覆盖层、P接触层，P接触层的上表面处开设有两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽外侧的P接触层的上表面处开设有凹槽，凹...

本发明提供一种GaN基的激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层上表面设有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P...

本发明提供一种GaN基激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层、钝化层和界面绝缘层；P型电子阻挡层上表面凸出设有脊条，脊条包括P覆盖层、P接触层和P接触电极...

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有热载流子冷却层的半导体元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、快速热载流子冷却层和第二导电型半导体，第二导电型半导体和多量子阱之间具有快速热载流子冷却层；快速热载流子...

本发明提出了一种退火方法及系统，所述方法应用于UVCLED结构，所述UVCLED结构包括自上而下依次铺设的P型层、UVCMQW层、N型层和基层，所述退火方法包括：对UVCLED结构中的P型层进行激光照射，所述P型层为高Al组份的P

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱，电子阻挡层和第二导电型半导体，本发明通过控制层叠过程中N2/H2/NH3的压强、温度、MO源、流量及比例等方法调控第二导电型...

本发明涉及LED制作的技术领域，特别涉及一种免蚀刻制作LED芯片的方法及LED芯片，创新提出N型半导体层的定位手段，在定位位置的侧面制作N电极，省略了常规LED芯片制作过程中的蚀刻工艺步骤，简化了操作流程，提高了工作效率，其中方法包括以...

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱和第二导电型半导体，所述多量子阱具有三维极性畴，形成三维极性畴量子阱；所述三维极性畴多量子阱通过I...

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种深紫外半导体发光元件，其从下至上依次包括衬底、缓冲层、第一导电型半导体，多量子阱，导电型电子阻挡层和第二导电型半导体，所述导电型电子阻挡层的H浓度为1E17～5E18cm

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体发光元件，其从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱，导电型空穴注入层和第二导电型半导体，所述导电型空穴注入层的H浓度为5E18～1E20cm

本发明提出了一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及制备方法。所述外延结构包括自下而上依次设置的衬底、PVD AlN层、第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、n型AlGaN接触层、多量子阱有源层、p型AlGaN阻挡层和p型GaN...

本发明实施例提供一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备。该外延结构包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型Al

本发明是关于一种发光器件及其制作方法。该发光器件第一绝缘层靠近第一半导体层的一侧的上表面具有被第一半导体层下表面部分遮挡的凹槽而形成的空隙。本发明提供的方案，通过在发光器件部分非出光面区域形成空隙，且空隙不含有任何固体及液体材料，可以大...

本发明提出了一种蚀刻背镀DBR层的方法，所述方法包括：将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。本发明所提出的蚀刻背镀DBR层的方法，工序流程简单...

本发明提出了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺...