一种免蚀刻制作LED芯片的方法及LED芯片技术

本发明专利技术涉及LED制作的技术领域，特别涉及一种免蚀刻制作LED芯片的方法及LED芯片，创新提出N型半导体层的定位手段，在定位位置的侧面制作N电极，省略了常规LED芯片制作过程中的蚀刻工艺步骤，简化了操作流程，提高了工作效率，其中方法包括以下操作步骤：S1、在衬底的正面上依次生长N型半导体层、发光层、P型半导体层的外延层结构；S2、在P型半导体层的上方制作P电极；S3、根据所述步骤S1中生长的外延层结构确定N型半导体层的厚度为X，N型半导体层的底部到P型半导体层的顶部的厚度为Y，发光层和P型半导体层的总厚度为Z，则N电极的位置设置在距P型半导体层的顶部Y

【技术实现步骤摘要】
一种免蚀刻制作LED芯片的方法及LED芯片


[0001]本专利技术涉及LED制作的
，特别是涉及一种免蚀刻制作LED芯片的方法及LED芯片。

技术介绍

[0002]现有技术条件下，常规正装及倒装LED制作电极均采用从P型半导体层往N型半导体层蚀刻，再镀金属的方式制作N型电极，如图1为正装LED制作，制作N型电极需要先对外延层结构进行从P型半导体层往N型半导体层蚀刻，移除上述叠层结构的边缘部分，直至N型半导体层的边缘部分被暴露，一方面蚀刻工艺流程上相对较复杂、耗时，另一方面对外延层有蚀刻破坏，对LED发光的损耗较大。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种优化N电极制作工艺的免蚀刻制作LED芯片的方法，创新提出N型半导体层的定位手段，然后在定位位置的侧面制作N电极，省略了常规LED芯片制作过程中的蚀刻工艺步骤，简化了操作流程，提高了工作效率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术是采用下述技术方案实现的：
[0005]一方面，本专利技术提供一种免蚀刻制作LED芯片的方法，包括以下操本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种免蚀刻制作LED芯片的方法，其特征在于，包括以下操作步骤：S1、在衬底的正面上依次生长N型半导体层、发光层、P型半导体层的外延层结构；S2、在P型半导体层的上方制作P电极；S3、根据所述步骤S1中生长的外延层结构确定N型半导体层的厚度为X，N型半导体层的底部到P型半导体层的顶部的厚度为Y，发光层和P型半导体层的总厚度为Z，则N电极的位置设置在距P型半导体层的顶部Y
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Z～Y范围内；S4、在步骤S3中确定的N电极的位置范围内的侧面制作N电极。2.如权利要求1所述的免蚀刻制作LED芯片的方法，其特征在于，所述衬底的材料选自蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、ZnO、氮化铝和尖晶石中的任意一种。3.如权利要求2所述的免蚀刻制作LED芯片的方法，其特征在于，所述外延层采用有机金属化学气相沉积法、分子束外延法或氢化物气相外延法进行层叠。4.如权利要求3所述的免蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚钦，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：