基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置，转移方法包括以下过程：提供带有漂浮层的微型发光二极管芯片，漂浮层形成于微型发光二极管芯片的一侧表面；将带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于溶液中，微型发光二极管芯片在漂浮层的作用下漂浮于溶液的液面上；提供转移基板，转移基板上设有多个用于容纳微型发光二极管芯片的槽体，槽体的位置与微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同，将转移基板从溶液的液面以下向溶液的液面上升，上升过程中，转移基板托起带有漂浮层的微型发光二极管芯片，震动转移基板，使带有漂浮层的微型发光二极管芯片落入槽体内。本发明专利技术能提高微型发光二极管芯片的转移效率、良品率和定位精度。良品率和定位精度。良品率和定位精度。

【技术实现步骤摘要】
基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置


[0001]本专利技术涉及微型发光二极管制造
，更具体地，涉及一种基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置。

技术介绍

[0002]由于微型发光二极管的亮度、对比度、寿命、响应时间、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD和OLED显示技术，因此，业界将微型发光二极管显示技术视为下一代显示技术。
[0003]微型发光二极管显示技术是将传统的发光二极管结构进行微缩化和阵列化，并采用CMOS集成电路工艺制作驱动电路，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。
[0004]微型发光二极管的巨量转移技术是产业化的一个关键技术之一；所谓巨量转移，是在微型发光二极管芯片制作完成之后，将大量微型发光二极管芯片转移到有源驱动背板上的技术。由于微型发光二极管芯片非常细小(通常为几十微米)，因此如何高效率、高良品率和高精度的转移微型发光二极管芯片成为业界亟待解决的技术问题之一。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置，提高微型发光二极管芯片的转移效率、良品率和定位精度。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种微型发光二极管芯片的转移方法，包括以下过程：
[0008]提供带有漂浮层的微型发光二极管芯片，所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的一侧表面；
[0009]将所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于溶液中，所述微型发光二极管芯片在所述漂浮层的作用下漂浮于所述溶液的液面上；
[0010]提供基板，所述基板上设有多个用于容纳所述微型发光二极管芯片的槽体，所述槽体的位置与所述微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同，所述槽体具有磁性，能够磁吸所述微型发光二极管芯片的电极，将所述基板从所述溶液的液面以下向所述溶液的液面上升，上升过程中，所述基板托起所述微型发光二极管芯片，震动所述基板，使所述微型发光二极管芯片落入所述槽体内，且使所述电极与所述槽体相吸合，得到装载有所述微型发光二极管芯片的基板；
[0011]去除所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板。
[0012]本专利技术还提供了一种实现上述微型发光二极管芯片的转移方法的转移装置，包括用于容纳溶液的腔体、设置于所述腔体底部的载台、用于升降所述载台的升降机构、固定于所述载台上的基板、设置于所述载台上并用于固定所述基板的锁紧机构以及用于震动所述基板的震动机构，所述基板上设有多个用于容纳微型发光二极管芯片的槽体，所述槽体的
位置与所述微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同，所述槽体的底部和侧壁设置有带有磁性的金属层；
[0013]向所述腔体内注溶液，所述基板通过所述锁紧机构固定于所述载台上，且位于所述溶液的液面以下，将带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于所述溶液中，所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的一侧表面，所述微型发光二极管芯片在所述漂浮层的作用下漂浮于所述溶液的液面上，所述升降机构驱动所述载台带动所述基板上升，上升过程中，所述基板托起所述微型发光二极管芯片，所述震动机构驱动所述基板震动，使所述微型发光二极管芯片落入所述槽体内，且使所述微型发光二极管芯片的电极与所述带有磁性的金属层相磁吸。
[0014]本专利技术还提供了一种基板，所述基板上设有多个用于容纳微型发光二极管芯片的槽体，所述槽体的位置与所述微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同，所述槽体的底部和侧壁设置有带有磁性的金属层。
[0015]实施本专利技术实施例，将具有如下有益效果：
[0016]本专利技术实施例通过将微型发光二极管芯片置于溶液中，然后采用转移基板自下向上捕捉漂浮于溶液液面上的微型发光二极管芯片，可以使转移基板捕捉的微型发光二极管芯片的数量大于生长衬底上形成的微型发光二极管芯片的数量，提高转移效率；通过设置漂浮层，使微型发光二极管芯片定向漂浮于液面上；通过采用自下向上托起微型发光二极管芯片的方法，以及采用震动的方式使微型发光二极管芯片落入槽体内，避免损伤微型发光二极管芯片，提高微型发光二极管芯片的良品率；通过采用槽体捕捉微型发光二极管芯片，使微型发光二极管芯片在基板上的定位更精准；通过使槽体具有磁性，使微型发光二极管芯片10的电极侧固定在槽体21内，且磁吸作用使微型发光二极管芯片10更容易被槽体21捕捉。
[0017]本专利技术的采用流体技术与磁吸技术相结合的转移方法，每小时的转移速度超过5000万个，无需制备镂空结构，即可完成大批量转移。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]其中：
[0020]图1是本专利技术一具体实施例的微型发光二极管芯片的转移方法的流程图。
[0021]图2是本专利技术另一具体实施例的微型发光二极管芯片的转移方法的流程图。
[0022]图3是本专利技术一具体实施例的临时转移装置带动微型发光二极管芯片向下浸入清洗液的结构示意图。
[0023]图4是本专利技术一具体实施例的微型发光二极管芯片的转移装置的结构示意图。
[0024]图5是本专利技术一具体实施例的基板的结构示意图。
[0025]图6是本专利技术一具体实施例的微型发光二极管芯片的转移装置在注液初期的结构示意图。
[0026]图7是图6所示结构中的基板向上运动捕获微型发光二极管芯片的结构示意图。
[0027]图8是图7所示结构经震动后的结构示意图。
[0028]图9是本专利技术一具体实施例的基板的剖面结构示意图。
[0029]图10是图9所示结构的俯视结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]本专利技术公开了一种微型发光二极管芯片10的转移方法，包括以下步骤：
[0032]步骤1：提供带有漂浮层11的微型发光二极管芯片10，漂浮层11形成于微型发光二极管芯片10的一侧表面；将带有漂浮层11的微型发光二极管芯片 10置于溶液中，带有漂浮层11的微型发光二极管芯片10在漂浮层11的作用下漂浮于溶液的液面上，漂浮层11可以使微型发光二极管芯片10定向漂浮于液面上。
[0033]步骤2：提供基板20，基板20上设有多个用于容纳微型发光二极管芯片10 的槽体21，槽体21的位置与微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同，槽体21具有磁性，能够磁吸微本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括以下过程：提供带有漂浮层的微型发光二极管芯片，所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的一侧表面；将所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于溶液中，所述微型发光二极管芯片在所述漂浮层的作用下漂浮于所述溶液的液面上；提供基板，所述基板上设有多个用于容纳所述微型发光二极管芯片的槽体，所述槽体的位置与所述微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同，所述槽体具有磁性，能够磁吸所述微型发光二极管芯片的电极，将所述基板从所述溶液的液面以下向所述溶液的液面上升，上升过程中，所述基板托起所述微型发光二极管芯片，震动所述基板，使所述微型发光二极管芯片落入所述槽体内，且使所述电极与所述槽体相吸合，得到装载有所述微型发光二极管芯片的基板；去除所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述基板为转移基板，所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片的制备方法，包括以下过程：提供微型发光二极管阵列板，所述微型发光二极管阵列板包括生长衬底和间隔分布于所述生长衬底上的多个所述微型发光二极管芯片，在所述微型发光二极管芯片的所述电极的一侧表面形成所述漂浮层；将所述微型发光二极管芯片从所述生长衬底剥离，得到所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片，所述漂浮层形成于所述电极的一侧表面。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述去除所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板包括以下过程：使用临时转移装置与所述微型发光二极管芯片的背离所述电极的一侧表面相结合，使所述基板上的所述微型发光二极管芯片转移至所述临时转移装置上，露出所述漂浮层，去除所述漂浮层，露出所述电极；利用所述临时转移装置带动所述微型发光二极管芯片至所述有源驱动背板上方，使所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述基板为所述有源驱动背板，所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片的制备方法，包括以下过程：提供微型发光二极管阵列板，所述微型发光二极管阵列板包括生长衬底和间隔分布于所述生长衬底上的多个所述微型发光二极管芯片；将所述微型发光二极管芯片的所述电极的一侧表面与临时转移装置相结合，剥离所述生长衬底，得到结合有所述微型发光二极管芯片的临时转移装置；在所述微型发光二极管芯片的背离所述电极的一侧表面形成所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片从所述临时转移装置剥离，得到所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片，所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的背离所述电极的一侧表面。5.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述去除所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板包括以下过程：采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱成峰，莫炜静，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：