【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体激光剥离的，具体而言，涉及一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。
技术介绍
1、在micro led微显示模组制备过程中中，需要将蓝宝石衬底进行激光剥离。在激光剥离时(以下简称llo)，易造成电路损伤模组失效。而且llo后的氮化镓(gan)表面，存在表面镓(ga)残留影响模组出光部分。
2、有鉴于此，亟需提供一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构的技术方案，以便在激光剥离时保护驱动电路并添加出光。
技术实现思路
1、为了解决
技术介绍
中提到的一种或者多种技术问题，本公开的方案提供了一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。
2、根据本公开实施例的一个方面，提供了一种微型发光结构的制备方法。所述微型发光结构的制备方法包括：获取键合结构，所述键合结构包括驱动芯片、与所述驱动芯片键合的光芯片，所述光芯片包括衬底层和设置于所述衬底层上的发光单元阵列；通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射，再对激光照射后的键合结构的衬底层进行...
【技术保护点】
1.一种微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，在通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述透光区表征对应于键合结构中光芯片的区域，所述遮挡区表征对应于键合结构中相较光芯片露出的驱动芯片的区域。
4.根据权利要求2或3所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：
5.根据权利要求4所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，在通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述透光区表征对应于键合结构中光芯片的区域，所述遮挡区表征对应于键合结构中相较光芯片露出的驱动芯片的区域。
4.根据权利要求2或3所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：
5.根据权利要求4所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛学，张珂，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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