【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led，具体而言，涉及一种微型led器件、制备方法及发光装置。
技术介绍
1、micro-led(微型led)显示技术是将传统的led结构进行微缩化和阵列化并采用cmos或tft制作驱动电路，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。其中键合作为micro-led显示技术的重要技术环节，对产品的性能起着重要作用。对于实现更高ppi像素的产品，采用wafer bonding的技术方案是目前采用较多的一种，wafer bonding技术也有多种方案，每种方式都各有优劣，但也同样面临一些技术上的难题。
2、目前micro-led采用wafer bonding方案比较常见的是蓝宝石衬底或硅基衬底的gan晶圆通过加热加压的方式与硅基驱动电路进行wafer bonding，然后再进行像素结构的制作加工，共同点是bonding之后需要对衬底进行去除或剥离，这个过程对wafer bonding的结合力要求严苛，并且由于在bonding之后再进行像素结构的制作加工，对产品的良率控制也同样是极大挑战。
【技术保护点】
1.一种微型LED器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，所述像素结构包括多个外延层和电极连接层，多个所述外延层分别为缓冲层、第一GaN层、多量子阱层、第二GaN层，其中所述缓冲层为与所述GaN衬底接触的外延层，所述电极连接层设于所述第二GaN层上。
3.根据权利要求1或2所述的微型LED器件，其特征在于，所述GaN衬底上设置有第一导体层，所述驱动电路层的负极连接有第二连接电极，所述第二连接电极上设置有第二导体层，所述第一导体层和所述第二导体层用于提供所述光芯片的负极和所述驱动芯片的负极的导通基础。
...【技术特征摘要】
1.一种微型led器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型led器件，其特征在于，所述像素结构包括多个外延层和电极连接层，多个所述外延层分别为缓冲层、第一gan层、多量子阱层、第二gan层，其中所述缓冲层为与所述gan衬底接触的外延层，所述电极连接层设于所述第二gan层上。
3.根据权利要求1或2所述的微型led器件，其特征在于，所述gan衬底上设置有第一导体层，所述驱动电路层的负极连接有第二连接电极，所述第二连接电极上设置有第二导体层，所述第一导体层和所述第二导体层用于提供所述光芯片的负极和所述驱动芯片的负极的导通基础。
4.根据权利要求3所述的微型led器件，其特征在于，所述微型led器件还包括侧壁反射层，所述侧壁反射层设于所述钝化层内并至少部分覆盖所述像素结构的侧向出光范围。
5.根据权利要求4所述的微型led器件，其特征在于，所述侧壁反射层为反射金属层。
6.根据权利要求4所述的微型led器件，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同，所述第一钝化层覆盖在所述像素结构上，所述第二钝化层覆盖在所述驱动电路层上；
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴涛，刘弈镈，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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