【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆清洗领域，尤其涉及一种晶圆清洗结构、晶圆清洗设备。
技术介绍
1、晶圆清洗是半导体制造工艺中重要且频繁的工序，并且随着尺寸的缩小、结构的复杂化，晶圆对杂质含量的敏感度也相应提高。清洗质量的好坏将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。晶圆清洗工艺的目的是在不改变或损坏晶圆表面或衬底的情况下去除化学和颗粒杂质，使晶圆表面不受金属、颗粒和有机物的污染。
2、在超声波清洗过程中，晶圆表面易受到碎屑吸附污染，影响了晶圆的清洗效率。
技术实现思路
1、为克服现有技术中的不足，本申请提供一种晶圆清洗结构、晶圆清洗设备。
2、第一方面，本申请提供的一种晶圆清洗结构，包括：清洗槽，所述清洗槽用于盛放清洗液，所述清洗槽包括：底壁与侧壁，所述底壁上设置有凹陷部，所述侧壁围绕所述底壁的周缘设置，以与所述底壁形成第一容纳空间，所述凹陷部朝靠近所述底壁的方向凹陷设置，所述凹陷部包括：承托面与两相对设置的围挡面，所述承托面分别与两所述围挡面连接，以形成第二容纳空间，所述第二容纳空间用于放置晶圆，以使所述晶圆表面的杂质在清洗过程中沿所述晶圆表面沉积至所述底壁上。
3、结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述凹陷部包括：所述承托面位于所述围挡面靠近所述底壁的一端，当所述晶圆放置于所述第二容纳空间时，所述晶圆的第一表面与所述承托面贴合，所述第一表面为弧形面，所述围挡面与所述侧壁平行设置，所述凹陷部的数量为一个或多个。
4、结合第一方面，在一种可能的实施方
5、结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述凹陷部沿第一方向设置于承载件中，所述承载件设置于所述第一容纳空间中，所述凹陷部用于防止所述晶圆相对于所述承载件沿第二方向的移动，所述第二方向与所述第一方向垂直。
6、结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述承载件上设置有拉杆，所述拉杆沿第一方向设置于所述凹陷部的两相对侧。
7、结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述清洗槽具有第一敞口，所述第一敞口位于所述清洗槽远离所述底壁的一端，所述凹陷部具有第二敞口，所述第二敞口位于所述凹陷部靠近所述第一敞口的一端，且所述第二敞口的朝向与所述第一敞口的朝向相同。
8、结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述晶圆清洗结构还包括：清洗机，所述清洗槽设置于所述清洗机中，且所述清洗机沿第一方向的长度大于所述清洗槽沿所述第一方向的长度。
9、结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述清洗槽放置于置物架中，所述置物架与所述清洗机可拆卸连接，且所述置物架用于限制所述清洗槽的移动。
10、结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述置物架沿所述第一方向的长度大于所述清洗槽沿所述第一方向的长度，所述置物架沿所述第一方向的长度小于所述清洗机沿所述第一方向的长度。
11、第二方面，本申请提供的一种晶圆清洗设备，包括上述的所述晶圆清洗结构。
12、相比现有技术，本申请的有益效果：
13、本申请提供的晶圆清洗结构，包括：清洗槽，所述清洗槽中盛放有清洗液，所述凹陷部朝靠近所述清洗槽的底壁方向凹陷设置，所述凹陷部具有第二容纳空间，所述第二容纳空间用于放置晶圆，以能将晶圆沿所述清洗槽的深度方向放置于所述凹陷部中，将所述清洗槽放置于超声清洗设备中，以使得晶圆表面的杂质在清洗过程中能在重力的作用下沿晶圆表面沉积至所述清洗槽的底壁上，相比于将晶圆平放于超声清洗设备中的清洗方式，通过所述清洗槽及所述凹陷部的配合，能减少清洗液的使用量，且能减少清洗过程中晶圆表面受到碎屑杂质的吸附污染，增强了晶圆的清洗效果，提升了晶圆的清洗速度，能有效提高晶圆的清洗效率。
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1.一种晶圆清洗结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述承托面位于所述围挡面靠近所述底壁的一端，当所述晶圆放置于所述第二容纳空间时，所述晶圆的第一表面与所述承托面贴合，所述第一表面为弧形面；
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述承托面包括第一弧形边，所述第一弧形边的半径与所述晶圆的半径相等；
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述凹陷部沿第一方向设置于承载件中，所述承载件设置于所述第一容纳空间中，所述凹陷部用于防止所述晶圆相对于所述承载件沿第二方向的移动，所述第二方向与所述第一方向垂直。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述承载件上设置有拉杆，所述拉杆沿第一方向设置于所述凹陷部的两相对侧。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述清洗槽具有第一敞口，所述第一敞口位于所述清洗槽远离所述底壁的一端；
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述晶圆清洗结构还包括：
8.根据
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述置物架沿所述第一方向的长度大于所述清洗槽沿所述第一方向的长度，所述置物架沿所述第一方向的长度小于所述清洗机沿所述第一方向的长度。
10.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括权利要求1-9中任意一项所述的晶圆清洗结构。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述承托面位于所述围挡面靠近所述底壁的一端，当所述晶圆放置于所述第二容纳空间时，所述晶圆的第一表面与所述承托面贴合，所述第一表面为弧形面；
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述承托面包括第一弧形边，所述第一弧形边的半径与所述晶圆的半径相等；
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述凹陷部沿第一方向设置于承载件中，所述承载件设置于所述第一容纳空间中，所述凹陷部用于防止所述晶圆相对于所述承载件沿第二方向的移动，所述第二方向与所述第一方向垂直。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗结构，其特征在于，所述承载件上设置有拉杆，所述拉杆沿第一方向设置于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张珂，赵冬阳，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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