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本发明涉及LED制作的技术领域，特别涉及一种免蚀刻制作LED芯片的方法及LED芯片，创新提出N型半导体层的定位手段，在定位位置的侧面制作N电极，省略了常规LED芯片制作过程中的蚀刻工艺步骤，简化了操作流程，提高了工作效率，其中方法包括以下操...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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