本发明公开了一种半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域。该半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述下限制层和下波导层之间设有连续域束缚态层；该...

本发明公开了一种具有漩涡光调制层的氮化镓基半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域。该半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层；该半导体激光器通过漩涡光调制层打破光学互易性，形成非衍射的三...

本发明公开了一种具有谷极化自旋耦合层的半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域。该半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间设有谷极化自旋耦合层；该半导体激光器通...

本发明公开了一种具有声子拓扑量子态和光子拓扑边缘态层的半导体激光芯片，涉及半导体光电器件技术领域。该半导体激光芯片，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，所述上波导层与上限制层之间具有声...

本发明公开了一种半导体激光器封装模组，包括管脚、管座、管舌、热沉和激光器芯片；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；第一连接层的热阻小于等于热沉的热阻；第二连接层的热阻小于等于管座的热阻；第二连接层的热阻小于...

本发明提出了一种半导体激光器封装模组，所述半导体激光器封装模组包括管脚、管座、管舌和热沉，所述管脚固定在所述管座的下表面，所述管舌固定在所述管座的上表面，所述热沉设置在所述管舌的侧面，所述热沉的侧面设置有半导体激光器，所述管舌、热沉和半...

本发明公开了一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述衬底与下限制层之间具有电流扩展层，所述电流扩展层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlInN、AlN中的任意一种或任意几种组合，...

本发明公开了一种半导体激光器封装组件，包括：管座，设置在管座下方的管脚，以及安装在管座上的管舌；管舌上安装热沉和激光器芯片；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；封装形式包括塑封模组、TO‑CAN罐式模组、C...

本发明公开了一种半导体激光器封装器件，包括：管座，设置在管座下方的管脚，以及安装在管座上的管舌；管舌上安装热沉和激光器芯片；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；设计第一连接层、热沉、第二连接层、管座的热阻微...

本发明公开了一种半导体紫光紫外发光二极管，从下至上依次包括衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱、p型空穴扩展层，所述p型空穴扩展层In元素分布具有函数y＝a<supgt;x</supgt;‑a<supgt;‑x</...

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，尤其涉及一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，通过光刻工艺，将上包覆层刻蚀至距离电子阻挡层约5～500nm，刻出激光的脊，再在脊上方制备...

本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述量子阱层包括第一子量子阱层和第二子量子阱层，所述第一子量子阱层和第二子量子阱层具有In元素分布、Al元素分布、Si掺杂浓度分布、Mg掺...

本发明提出了一种氮化镓基半导体激光芯片，其具有电子亲和能梯度、峰值电子漂移速率梯度、形变势梯度和体积弹性模量梯度。本发明能够调控有源层的极化电场，降低空穴注入势垒，调控空空波函数分布，降低空穴溢出有源层，改善空穴准费米能级钉扎，使注入载...

本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下波导层和上波导层具有介电常数分布、折射率系数分布和In/O元素比例分布特性。本发明通过对下波导层和上波导层设计特定的介电常数...

本发明公开了一种氮化物半导体功率器件和射频器件，从下至上依次包括衬底、沟道层和势垒层，所述势垒层与沟道层的峰值电子漂移速率分布具有函数y＝(a<supgt;x</supgt;‑1)/(a<supgt;x</sup...

本发明提出了一种氮化镓半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层包括从下至上依次设置的具有价带有效态密度分布特性的第一限制因子增强下限制层、第二限制因子增强下限制层、第三限...

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，尤其涉及一种半导体激光器芯片，包括衬底、外延层，其中沿激光出射方向的外延层截面为第一端面，逆激光出射方向的外延层截面为第二端面，所述第一端面上具有减反射增透膜层,所述第二端面上具有高反射膜层,所述减反...

本发明提出了一种半导体功率射频器件，包括从下至上依次设置的衬底、沟道层和势垒层，所述沟道层和势垒层具有峰值电子漂移速率分布、空穴迁移率分布、轻空穴有效质量分布和重空穴有效质量分布特性。本发明能够提升GaN功率器件的电流密度和击穿场强，提...

本发明提出了一种半导体激光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一子下限制层、第二子下限制层和第三子下限制层，所述第一子下限制层、第二子下限制层和第三子下...

本发明提出了一种GaN基半导体紫光紫外激光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述衬底与下限制层之间设置有衬底模式抑制层，所述衬底模式抑制层具有Si掺杂浓度分布、C元素分布、O元素分布、H...