本发明公开了一种GaN基半导体发光芯片，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，所述量子阱与p型半导体之间具有至少一电子溢流抑制层；所述电子溢流抑制层的热导率a大于等于p型半导体的热导率b；电子溢流抑制层的击穿场强c小于等...

本发明提供了一种氮化镓基半导体激光芯片，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述有源层的In/H元素比例分布呈y＝xsinx函数曲线分布，Si/C元素比例分布呈y＝e<supgt;x<...

本发明公开了一种具有声子散射辅助泵浦层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与有源层之间以及上波导层与有源层之间具有声子散射辅助泵浦层；所述有源层为阱层和垒层组成的周...

本发明提供了一种GaN基半导体激光器，包括从下到上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层的禁带宽度具有函数y＝lnx+x曲线分布。本发明提供的一种GaN基半导体激光器，其通过对上波导层禁带宽度变化曲...

本发明公开了一种半导体紫光紫外发光芯片，从下至上依次包括衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱、p型半导体，所述量子阱的In/H元素比例分布具有正弦函数y＝Asin(Bx+C)+D的曲线分布，所述量子阱的Al/H元素比例分布具有余弦函数y＝...

本发明提供了一种小功率GaN激光二极管制作方法，属于激光二极管技术领域，用于解决现有激光二极管制作过程中很难分辨SiO2上光刻胶是否已经蚀刻干净，易造成过蚀刻或者蚀刻不干净的技术问题。本方法通过在SiO2绝缘层生长完后，表面镀一层Ag薄...

本发明公开了一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述下限制层包括第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层；所述第二下限制层的自发极化系数分布具有函数y＝ax<supgt;2&l...

本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体说是一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述下限制层为A l I nGaN、A l I nN、A l GaN、I nN、A l N、I nGaN和...

本发明属于半导体技术领域，具体为一种半导体元件，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱、p型半导体层和p型接触层。所述p型接触层上方设置为透明导电层，所述透明导电层为ITO材料，厚度为50～5000埃米；所述透明导...

本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述下波导层、有源层阱层、有源层垒层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层之间...

本发明提出了一种氮化镓基半导体发光芯片，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，量子阱包括从下至上设置的第一子量子阱和第二子量子阱，第一子量子阱具有In/C元素比例分布、H/O元素比例分布和C/O元素比例分布特性...

本发明提出了一种半导体紫光、紫外、深紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱和p型半导体，所述量子阱具有In元素分布、Al元素分布、Mg掺杂浓度分布、Si掺杂浓度分布，H元素分布、C元素分布和O元素分布特...

本发明提出了一种GaN基半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层和下波导层具有不同的折射率分布。本发明通过将上波导层和下波导层设置不同的折射率分布，能够有效抑制半导体激光...

本发明公开一种半导体激光器，从下往上包括：衬底、第一下限制层、第一限制因子调制层、第二下限制层、第二限制因子调制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述第一限制因子调制层和第二限制因子调制层均包括一种以上宽禁带化合物半导体。本发明...

本发明提出了一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上波导层与电子阻挡层以及下波导层与下限制层之间均设置有自旋极化电子层。本发明增强激光元件的自旋极...

本发明公开了一种氮化镓基半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，所述有源层具有粒子数反转量子阱；所述粒子数反转量子阱为阱层和垒层组成的周期结构；所述粒子数反转量子阱的垒层的电子迁移...

本发明公开了半导体激光芯片一种半导体激光芯片，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层和上限制层；其中，所述下限制层包括：第一下限制层和第二下限制层；所述第一下限制层和第二下限制层之间包括：衬底模式抑制层；所述衬底模...

本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，所述氮化物半导体发光元件，包括：从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱、空穴加速层和p型半导体层；所述空穴加速层由GaN、InGaN、AlInGaN、AlInN、InGaN、AlN的任意一种或...

本发明公开了一种半导体激光元件，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层和p型半导体层；其中，所述p型半导体层在预设方向上的Mg掺杂浓度分两段上升，第一段Mg掺杂浓度上升角度为第一角度，第二段Mg掺杂浓度上...

本发明公开了一种导体发光元件，所述半导体发光元件包括：从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱、p型半导体层和p型接触层；所述p型接触层包括：GaN、InGaN、AlInGaN、AlGaN、InAlN中的任意一种或多种；所述p型接触...