半导体激光芯片一种半导体激光芯片制造技术

本发明专利技术公开了半导体激光芯片一种半导体激光芯片，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层和上限制层；其中，所述下限制层包括：第一下限制层和第二下限制层；所述第一下限制层和第二下限制层之间包括：衬底模式抑制层；所述衬底模式抑制层的菲利浦电离度呈梯形分布；所述衬底模式抑制层的电子亲和能呈梯形分布。本发明专利技术通过将衬底模式抑制层的菲利浦电离度设计为呈梯形分布，并将衬底模式抑制层的电子亲和能呈梯形分布设计为梯形分布，能够实现低纵横比的FFP远场图像和高扭结水平；同时，提升横模的稳定性并减少纵模的模间变化，增强激光的相干性，进一步提升远图像FFP质量，提升光束质量因子，缩小聚焦光斑尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件的，尤其涉及半导体激光芯片一种半导体激光芯片。

技术介绍

1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。

2、半导体激光光波的型态可分为横模和纵横；垂直于光轴截面内的横模光强分布是由半导体激光器的波导结构决定，若横模复杂不稳定，输出光的相干性差；纵模在谐振腔传播方向上是驻波分布，很多纵模同时激射或存在模间变化，则不能获得很高时间上的相干性，远场图像ffp质量差。

3、因此，亟需一种激光二极管，从而解决半导体激光输出质量差的问题。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供半导体激光芯片一种半导体激光芯片，以解决半导体激光输出质量差的问题。

2、为了解决上述问题，本专利技术一实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.半导体激光芯片一种半导体激光芯片，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层和上限制层；其中，所述下限制层包括：衬底模式抑制层、第一下限制层和第二下限制层；所述衬底模式抑制层位于所述第一下限制层和第二下限制层之间；所述衬底模式抑制层的菲利浦电离度呈梯形分布；所述衬底模式抑制层的电子亲和能呈梯形分布。

2.根据权利要求1所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述衬底模式抑制层，包括：半导体合金化合物和掺杂元素。

3.根据权利要求2所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述半导体合金化合物，包括GaN、InGaN、InN、AlInN、AlGa...

【技术特征摘要】

1.半导体激光芯片一种半导体激光芯片，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层和上限制层；其中，所述下限制层包括：衬底模式抑制层、第一下限制层和第二下限制层；所述衬底模式抑制层位于所述第一下限制层和第二下限制层之间；所述衬底模式抑制层的菲利浦电离度呈梯形分布；所述衬底模式抑制层的电子亲和能呈梯形分布。

2.根据权利要求1所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述衬底模式抑制层，包括：半导体合金化合物和掺杂元素。

3.根据权利要求2所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述半导体合金化合物，包括gan、ingan、inn、alinn、algan、alingan、aln、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、ingaasn、alinas、alinp、algap、ingap、gasb、insb、inas、inassb、algasb、alsb、ingasb、algaassb、ingaassb、sic、ga2o3、bn的其中一种或多种。

4.根据权利要求2所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述掺杂元素，包括：si、ge、c、h、o、sn、pb、fi、ti、zr、hf、rf的其中一种或多种。

5.根据权利要求4所述的半导体激光芯片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，黄军，蓝家彬，蔡鑫，胡志勇，王星河，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：