晶圆抛光装置、晶圆抛光系统以及晶圆抛光方法制造方法及图纸

本申请公开了一种晶圆抛光装置、晶圆抛光系统以及晶圆抛光方法，晶圆抛光装置，包括：抛光盘组件；抛光头驱动组件，用于驱动至少三个抛光头在抛光盘组件上对晶圆进行抛光；供液组件，与抛光头一一对应，用于为抛光头供给抛光液；抛光盘组件还包括设置在中心的回液孔，用于与回收装置连通，对抛光液进行回收。本申请提供的方案，可以减少抛光盘组件中心积累的抛光液，提高抛光精度。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于晶圆加工，具体而言，涉及一种晶圆抛光装置、晶圆抛光系统以及晶圆抛光方法。

技术介绍

1、在集成电路/半导体(integrated circuit,ic)的制造中，对晶圆的表面平坦度要求非常高，因此需要通过化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)工艺，对晶圆表面进行抛光。

2、第三代半导体材料由于其更宽的禁带宽度、高导热率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点等特性，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，使得第三代半导体材料在射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等行业具有广泛的应用。

3、然而，第三代半导体材料诸如以氮化镓(gan)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)和金刚石等，其硬度极高、抛光难度大，导致化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)工艺的抛光效率低，且耗费的抛光液等成本较高。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆抛光装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔的孔径流速小于所述供液组件的供液速度。

3.根据权利要求2所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔下方包括用于传输抛光液的传输通道，

4.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔包括倒锥形部以及柱形部，所述倒锥形部的锥面与所述抛光盘组件的水平面之间的夹角小于预设角度，所述预设角度根据抛光液的表面张力确定。

5.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔通过回收液路与所述回收装置连通；>

6.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆抛光装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔的孔径流速小于所述供液组件的供液速度。

3.根据权利要求2所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔下方包括用于传输抛光液的传输通道，

4.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔包括倒锥形部以及柱形部，所述倒锥形部的锥面与所述抛光盘组件的水平面之间的夹角小于预设角度，所述预设角度根据抛光液的表面张力确定。

5.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述回液孔通过回收液路与所述回收装置连通；

6.根据权利要求5所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述流体通路还盘设在所述抛光盘组件下方，用于控制所述抛光盘组件的温度。

7.一种晶圆抛光系统，其特征在于，包括：晶圆传输装置、晶圆抛光装置、回收装置；

8.根据权利要求7所述的晶圆抛光系统，其特征在于，所述回液孔的孔径流速小于所述供液组件的供液速度。

9.根据权利要求8所述的晶圆抛光系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：王同庆，王春龙，张美洁，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：