一种提高聚焦的发光器件结构制造技术

本技术涉及一种提高聚焦的发光器件结构，包括由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的第三导电层，与第三导电层电连接的导电基板，覆盖于电极部分表面且部分暴露于发光器件外部的第三绝缘层；覆盖于第三绝缘层绝大部分表面的吸光层，其中吸光层位于非必需发光区域，吸光层吸收非必需发光区域发出来的杂光。本技术吸光层吸收杂光，减少杂光产生，使得发光区域光源更集中聚焦，从而提高器件发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体激光器，尤其涉及一种提高聚焦的发光器件结构。

技术介绍

1、led芯片中p/n导通路径是在发光区内设置多个规则排列的凹陷，通过多金属设计的反射层和导电层实现p到n的电流流通，在通过绝缘层隔离p和n，防止直接导通造成短路,从而实现发光发亮。

2、现有的发光器件由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成，有源层发射的光子为各向等几率发射，当需要聚焦于某特定区域发光时，需要通过反射层结构提高出光效率，无反射层区域则需要限制出光，本技术提出了一种提高聚焦的发光器件结构，减少杂光产生，使发光区域光源更集中。

技术实现思路

1、基于
技术介绍
存在的技术问题，本技术提出了一种提高聚焦的发光器件结构，减少杂光产生，使发光区域光源更集中。

2、本技术提出的一种提高聚焦的发光器件结构，包括由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，与第二导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高聚焦的发光器件结构，包括由第一半导体层(1)、第二半导体层(2)和有源层(3)组成的发光器件；有源层(3)位于第一半导体层(1)、第二半导体层(2)之间；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种提高聚焦的发光器件结构，其特征在于，所述第一导电层(4)、反射层(5)嵌在第一绝缘层(7)中，且所述反射层(5)为多层结构，所述电极(11)也为多层结构。

3.根据权利要求1所述的一种提高聚焦的发光器件结构，其特征在于，所述发光器件设置在第二绝缘层(6)中，所述电极(11)与发光器件之间设有未覆盖吸光层的发光区域。

4.根据权利要求1所述的一种提高...

【技术特征摘要】

1.一种提高聚焦的发光器件结构，包括由第一半导体层(1)、第二半导体层(2)和有源层(3)组成的发光器件；有源层(3)位于第一半导体层(1)、第二半导体层(2)之间；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种提高聚焦的发光器件结构，其特征在于，所述第一导电层(4)、反射层(5)嵌在第一绝缘层(7)中，且所述反射层(5)为多层结构，所述电极(11)也为多层结构。

3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡琳榕，唐如梦，吴东东，刘诗雨，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：