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本技术涉及一种提高聚焦的发光器件结构，包括由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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