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本发明公开了半导体激光芯片一种半导体激光芯片，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层和上限制层；其中，所述下限制层包括：第一下限制层和第二下限制层；所述第一下限制层和第二下限制层之间包括：衬底模式抑制层；所述衬底模式抑...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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