本技术公开了一种能释放应力的芯片结构，涉及LED芯片结构技术领域。该能释放应力的芯片结构包括：基板、外延片及各层堆叠结构，外延片上依次生长第一半导体层、有源层以及第二半导体层，与所述第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与所述第一导电层...

本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种氮化物单晶激光器元件及其单晶制备方法，氮化物单晶激光器元件从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与下波导层之间具有单晶双曲极化激元层，所述...

本发明提出了一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，所述量子阱具有压电极化系数分布和自发极化系数分布特性。本发明通过设计半导体紫光紫外发光二极管中量子阱中的压电极化系数分布和自发极化系数...

本发明公开了一种具有谐振等离子热电层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间具有谐振等离子热电层，所述谐振等离子热电层的厚度为5～5000埃米，所述谐振...

本发明提供了一种具有空穴扩展层的半导体发光元件，包括由下至上设置的衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，在所述量子阱和p型半导体之间设置有空穴扩展层，空穴扩展层晶格常数分布具有函数y＝a<supgt;x</supgt;+a&...

本发明提供了一种具有p型三维空穴注入层的半导体元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱和p型三维空穴注入层，所述p型三维空穴注入层的In元素分布具有函数y＝e<supgt;x</supgt;/x<sup...

本发明提供了一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述n型半导体层中设置有至少一个空穴阻挡层。本发明提供的一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件，通过在n型半导体层中设置至少...

本发明提供了一种氮化镓基半导体元件，包括由下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体；所述量子阱和p型半导体之间设置有电子阻挡层；所述电子阻挡层的晶格常数分布具有函数y＝ax<supgt;3</supgt;+bx&...

本发明公开了一种具有声子拓扑量子态和光子拓扑边缘态层的激光芯片，具体涉及半导体光电器件的技术领域。该具有声子拓扑量子态和光子拓扑边缘态层的激光芯片，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制...

本发明公开了一种半导体激光器封装结构，包括：管座，设置在所述管座下方的管脚，以及安装在所述管座上的管舌；所述管舌上安装热沉和激光器芯片；所述激光器封装结构包括管脚、管座、管舌、热沉和激光器芯片，所述热沉包括Al N、氧化镓、氧化铝、S ...

本发明提出了一种氮化镓基半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，量子阱层包括第一子量子阱层和第二子量子阱层，且第一子量子阱层位于所述第二子量子阱层下方，第一子量子阱层和第二子量子阱层之间设置有第...

本发明公开了一种半导体激光器封装体，包括：管脚、管座、管舌、热沉和激光器芯片；热沉包括第一热沉和第二热沉；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；第一热沉的热阻微积分曲线的谷值≤第二热沉的热阻微积分曲线的谷值；...

本发明提出了一种氮化镓基半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述量子阱层与p型半导体层之间设置有三维空穴注入层，所述三维空穴注入层具有弹性系数分布和热膨胀系数分布特性。本发明通过在量子阱层与...

本发明提出了一种具有二维空穴气注入层的半导体元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层，所述电子阻挡层与p型半导体层之间设置有二维空穴气注入层，所述二维空穴气注入层具有电子迁移率分布、菲利普电离度...

本发明提出了一种具有空穴隧穿层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述量子阱层与p型半导体层之间设置有空穴隧穿层，所述空穴隧穿层具有禁带宽度分布、介电常数分布和折射率系数分布特性。本发明在...

本发明公开了一种半导体激光器封装装置，包括：管座，设置在管座下方的管脚，以及安装在管座上的管舌；管舌上安装热沉和激光器芯片；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；热沉的热阻微积分曲线的谷值≤激光器芯片的热阻微...

本发明提出了一种具有p型空穴注入层的氮化物半导体发光芯片，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层，量子阱层为由阱层和垒层组成的周期性结构，所述量子阱层和电子阻挡层之间设置有p型空穴注入层，所述p型空...

本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器的外延结构，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期性的具有富In团簇的量子阱结构。本发明能够抑制激光器的有源层生长过程的二维岛状或...

本发明提出了一种具有载流子吸收损耗调制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述有源层与下波导层之间设置有载流子吸收损耗调制层，所述载流子吸收损耗调制层具有菲利普电离度分布、导带有...

本发明提出了一种化合物半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述有源层与下波导层之间设置有空穴阻挡层，所述空穴阻挡层具有自发极化系数分布和压电极化系数分布特性。本发明在化合物半导体...