一种能释放应力的芯片结构制造技术

技术编号:41416402 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-20 19:44
本技术公开了一种能释放应力的芯片结构,涉及LED芯片结构技术领域。该能释放应力的芯片结构包括:基板、外延片及各层堆叠结构,外延片上依次生长第一半导体层、有源层以及第二半导体层,与所述第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层,与所述第一导电层形成电连接的反射层,与所述反射层形成电连接的第二导电层,贯穿第二半导体层及有源层,并延伸到第一半导体层内部的凹陷,覆盖于第二半导体层部分表面及第一导电层部分表面的第一绝缘层,覆盖于第二导电层表面及凹陷侧壁的第二绝缘层,覆盖于第二绝缘层表面及填充凹陷的第三导电层,所述第三导电层下表面设置有基板,所述基板的晶格与外延片的晶格、第三导电层之间角度为3°‑60°。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led芯片结构,具体为一种能释放应力的芯片结构


技术介绍

1、led(lightemittingdiode),即发光二极管,是一种半导体固体发光器件,它是利用固体半导体芯片作为发光材料,当两端加上正向电压,半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生红、黄、蓝、绿、青、橙、紫色的光。广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同,可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。

2、在led芯片的制作过程中,芯片并非一颗颗独立,而是整体连接在一起。直到大部分制作工序完成后,才进行激光切割作业,获得一颗颗独立的芯片。

3、由于激光作业过程中晶片会不断的释放应力,如果应力未及时释放或释放的通道过于单一,就会出现崩边崩角等划裂不良现象,引发器件异常。

4、为了使激光作业过程中应力得到充分的释放,进而改善划裂不良现象。因此公开了一种增加应力释放通道的led芯片结构。


技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足,本技术提供了一种能释放应力的芯片结构,解决了由于激光作业过程中晶片会不断的释放应力,如果应力未及时释放或释放的通道过于单一,就会出现崩边崩角等划裂不良现象,引发器件异常的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的,本技术通过以下技术方案予以实现:一种能释放应力的芯片结构,包括:基板、第一半导体层、第二半导体层以及有源层,有源层位于所述第一半导体层和第二半导体层之间,外延片上依次生长第一半导体层、有源层以及第二半导体层,与所述第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层,与所述第一导电层形成电连接的反射层,与所述反射层形成电连接的第二导电层,贯穿第二半导体层及有源层,并延伸到第一半导体层内部的凹陷,覆盖于第二半导体层部分表面及第一导电层部分表面的第一绝缘层,覆盖于第二导电层表面及凹陷侧壁的第二绝缘层,覆盖于第二绝缘层表面及填充凹陷的第三导电层,所述第三导电层下表面设置有基板,所述基板的晶格与外延片的晶格、第三导电层之间角度为3°-60°。

5、优选的,所述基板的晶格与外延片的晶格方向均不平行。

6、(三)有益效果

7、本技术提供了一种能释放应力的芯片结构。具备以下有益效果:

8、该能释放应力的芯片结构,通过调整基板键合角度,改变外延与基板键合后的晶格方向,可以减少机械应力,提高抗冲击强度,进而提升器件的稳定性,无需新增额外的工序和成本。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种能释放应力的芯片结构,其特征在于:包括基板(10)、第一半导体层(1)、第二半导体层(3)以及有源层(2),有源层(2)位于所述第一半导体层(1)和第二半导体层(3)之间,外延片上依次生长第一半导体层(1)、有源层(2)以及第二半导体层(3),与所述第二半导体层(3)形成欧姆接触的第一导电层(4),与所述第一导电层(4)形成电连接的反射层(5),与所述反射层(5)形成电连接的第二导电层(6),贯穿第二半导体层(3)及有源层(2),并延伸到第一半导体层(1)内部的凹陷(13),覆盖于第二半导体层(3)部分表面及第一导电层(4)部分表面的第一绝缘层(7),覆盖于第二导电层(6)表面及凹陷侧壁的第二绝缘层(8),覆盖于第二绝缘层(8)表面及填充凹陷(13)的第三导电层(9),所述第三导电层(9)下表面设置有基板(10),所述基板(10)的晶格与外延片的晶格、第三导电层(9)之间角度为3°-60°。

2.根据权利要求1所述的一种能释放应力的芯片结构,其特征在于:所述基板(10)的晶格与外延片的晶格方向均不平行。

【技术特征摘要】

1.一种能释放应力的芯片结构,其特征在于:包括基板(10)、第一半导体层(1)、第二半导体层(3)以及有源层(2),有源层(2)位于所述第一半导体层(1)和第二半导体层(3)之间,外延片上依次生长第一半导体层(1)、有源层(2)以及第二半导体层(3),与所述第二半导体层(3)形成欧姆接触的第一导电层(4),与所述第一导电层(4)形成电连接的反射层(5),与所述反射层(5)形成电连接的第二导电层(6),贯穿第二半导体层(3)及有源层(2),并延伸到第一半导体层(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名吴东东刘诗雨唐如梦
申请(专利权)人:安徽格恩半导体有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1