一种半导体紫光紫外发光二极管制造技术

本发明专利技术提出了一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，所述量子阱具有压电极化系数分布和自发极化系数分布特性。本发明专利技术通过设计半导体紫光紫外发光二极管中量子阱中的压电极化系数分布和自发极化系数分布特性，从而调控量子阱的压电极化和自发极化，降低量子阱的量子限制stark效应，减少量子阱的能带倾斜和电子溢流，提升量子阱的辐射复合效率，提升紫外发光二极管的光电转换效率，使紫外发光二极管大电流条件下的效率衰减从50％～70％以下提升至20～50％。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种半导体紫光紫外发光二极管。

技术介绍

1、半导体元件特别是半导体发光元件具有可调范围广泛的波长范围，发光效率高，节能环保，可使用超过10万小时的长寿命、尺寸小、应用场景多、可设计性强等因素，蓝光(发光波长440-460nm)和绿光(发光波长520-540nm)搭配荧光粉已逐渐取代白炽灯和荧光灯，成长普通家庭照明的光源，并广泛应用新的场景，如户内高分辨率显示屏、户外显屏、mini-led、micro-led、手机电视背光、背光照明、路灯、汽车大灯、车日行灯、车内氛围灯、手电筒等应用领域。

2、紫外发光二极管(发光波长350-420nm)uva波段可应用于3d固化、美甲固化、光疗、皮肤治疗、植物照明等应用领域。半导体紫外发光二极管使用蓝宝石衬底生长，晶格失配和热失配大，导致较高的缺陷密度和极化效应，降低半导体发光元件的发光效率；同时，氮化物半导体结构具有非中心对称性，沿c轴方向会产生较强的自发极化，叠加晶格失配的压电极化效应，形成本征极化场；该本征极化场沿(001)方向，使多量子阱层产生较强的量子限制sta本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，其特征在于，所述量子阱具有压电极化系数分布和自发极化系数分布特性。

2.根据权利要求1所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱的压电极化系数具有正弦函数y＝Asin(Bx+C)+D的曲线分布。

3.根据权利要求1所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱的自发极化系数具有余弦函数y＝Ecosn(Fx+G)+H的曲线分布。

4.根据权利要求1所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱中还具有In元素分布、Al元素分布和In/...

【技术特征摘要】

1.一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，其特征在于，所述量子阱具有压电极化系数分布和自发极化系数分布特性。

2.根据权利要求1所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱的压电极化系数具有正弦函数y＝asin(bx+c)+d的曲线分布。

3.根据权利要求1所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱的自发极化系数具有余弦函数y＝ecosn(fx+g)+h的曲线分布。

4.根据权利要求1所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱中还具有in元素分布、al元素分布和in/al元素比例分布；

5.根据权利要求4所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱中还具有in/c元素比例分布、in/o元素比例分布、in/h元素比例分布、al/c元素比例分布、al/o元素比例分布和al/h元素比例分布；

6.根据权利要求5所述的半导体紫光紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱中还具有in/mg元素比例分布、in/si元素比例分布、al/mg元素比例分布和al/si元素比例分布；

7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，蓝家彬，张会康，黄军，季徐芳，陈三喜，蔡鑫，刘紫涵，李水清，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：