一种半导体激光器封装组件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光器封装组件，包括：管座，设置在管座下方的管脚，以及安装在管座上的管舌；管舌上安装热沉和激光器芯片；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；封装形式包括塑封模组、TO‑CAN罐式模组、COS模组,激光器模组包括管脚、管座、管舌、热沉和激光器芯片；热沉的热阻微积分曲线分布具有函数y＝a<supgt;x</supgt;+a<supgt;‑x</supgt;曲线分布，其中，a为常数且a＞0，a≠1；第一连接层的热阻微积分曲线分布具有函数y＝b<supgt;x</supgt;+b<supgt;‑x</supgt;曲线分布，其中，b为常数且b＞0，b≠1；第二连接层的热阻微积分曲线分布具有函数y＝c<supgt;x</supgt;+c<supgt;‑x</supgt;曲线分布，其中，c为常数且c＞0，c≠1。提升激光器封装组件的界面温度分布均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件的，特别是涉及一种半导体激光器封装组件。

技术介绍

1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体紫外激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别，1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在w级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mw级；2)激光器的使用电流密度达ka/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减droop效应；3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相干光，而激光器为受激跃迁辐射，感应光子能量应等于电子跃迁的能级之差，产生光子与感应光子的全同相干本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器封装组件，其特征在于，包括：所述激光器封装组件包括管脚、管座、管舌、热沉和激光器芯片；管座，设置在所述管座下方的管脚，以及安装在所述管座上的管舌；所述管舌上安装热沉和激光器芯片；所述激光器芯片与所述热沉之间具有第一连接层；所述热沉与管舌之间具有第二连接层。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器封装组件，其特征在于，所述热沉包括SiC、Cu/SiC复合结构、Cu/SiC/AuSn、Cu/SiC/Cu复合结构、Cu/AlN复合结构、Cu/AlN/Cu复合结构、Cu/AlN/AuSn、AuSn、AlN、金刚石、AuSn、Au、Ag、Al、Sn、Cu/金刚石复...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器封装组件，其特征在于，包括：所述激光器封装组件包括管脚、管座、管舌、热沉和激光器芯片；管座，设置在所述管座下方的管脚，以及安装在所述管座上的管舌；所述管舌上安装热沉和激光器芯片；所述激光器芯片与所述热沉之间具有第一连接层；所述热沉与管舌之间具有第二连接层。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器封装组件，其特征在于，所述热沉包括sic、cu/sic复合结构、cu/sic/ausn、cu/sic/cu复合结构、cu/aln复合结构、cu/aln/cu复合结构、cu/aln/ausn、ausn、aln、金刚石、ausn、au、ag、al、sn、cu/金刚石复合结构、cu/金刚石/cu复合结构、cu/金刚石/ausn复合结构、aln单面覆铜、aln双面覆铜、aln镀ti覆铜、aln镀zr覆铜、aln镀ta覆铜、aln镀nb覆铜、aln镀v覆铜、aln镀hf覆铜、aln镀ti/zr覆铜、aln镀ti/ta覆铜、aln镀ti/nb覆铜、aln镀ti/v覆铜、aln镀ti/hf覆铜、aln镀ti/zr/ta覆铜、aln镀ti/zr/nb覆铜、aln镀ti/zr/v覆铜、aln镀ti/zr/hf覆铜、aln镀zr/ta/nb覆铜、aln镀zr/ta/v覆铜、aln镀zr/ta/hf覆铜、aln镀ta/nb/v覆铜、aln镀ta/nb/hf覆铜、aln镀nb/v/hf覆铜、sic单面覆铜、sic双面覆铜、sic镀ti覆铜、sic镀zr覆铜、sic镀ta覆铜、sic镀nb覆铜、sic镀v覆铜、sic镀hf覆铜、sic镀ti/zr覆铜、sic镀ti/ta覆铜、sic镀ti/nb覆铜、sic镀ti/v覆铜、sic镀ti/hf覆铜、sic镀ti/zr/ta覆铜、sic镀ti/zr/nb覆铜、sic镀ti/zr/v覆铜、sic镀ti/zr/hf覆铜、sic镀zr/ta/nb覆铜、sic镀zr/ta/v覆铜、sic镀zr/ta/hf覆铜、sic镀ta/nb/v覆铜、sic镀ta/nb/hf覆铜、sic镀nb/v/hf覆铜、金刚石单面覆铜、金刚石双面覆铜、金刚石镀ti覆铜、金刚石镀zr覆铜、金刚石镀ta覆铜、金刚石镀nb覆铜、金刚石镀v覆铜、金刚石镀hf覆铜、金刚石镀ti/zr覆铜、金刚石镀ti/ta覆铜、金刚石镀ti/nb覆铜、金刚石镀ti/v覆铜、金刚石镀ti/hf覆铜、金刚石镀ti/zr/ta覆铜、金刚石镀ti/zr/nb覆铜、金刚石镀ti/zr/v覆铜、金刚石镀ti/zr/hf覆铜、金刚石镀zr/ta/nb覆铜、金刚石镀zr/ta/v覆铜、金刚石镀zr/ta/hf覆铜、金刚石镀ta/nb/v覆铜、金刚石镀ta/nb/hf覆铜、金刚石镀nb/v/hf覆铜、al 2o3单面覆铜、al 2o3双面覆铜、si镀ti覆铜、si镀z...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，李水清，陈婉君，张钰，李晓琴，张会康，王星河，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：