【技术实现步骤摘要】
芯片转移装置及芯片转移方法
[0001]本专利技术涉及Micro
‑
LED芯片巨量转移
,尤其涉及一种芯片转移装置及芯片转移方法。
技术介绍
[0002]Micro
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LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于Micro
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LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。由于Micro
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LED的小尺寸特性,要将Micro
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LED技术应用于显示领域,需要采用巨量转移技术。巨量转移技术就是将几十甚至几百万颗Micro
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LED芯片从载体基板上批量、精准、有序的转移到电路基板上。
[0003]传统的芯片转移装置只能实现芯片固定间距的选择性转移,不能实现芯片任意间距的选择性转移,芯片转移效果不佳。
技术实现思路
[0 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种芯片转移装置,其特征在于,包括多个用于拾取芯片且阵列设置的拾取组件、用于固定多个所述拾取组件的壳体、用于带动所述壳体移动的移动件以及用于控制多个所述拾取组件的控制器,所述控制器能够独立控制多个所述拾取组件的电压通断,所述拾取组件包括拾取件,所述拾取组件通电后,所述拾取件可吸附芯片。2.如权利要求1所述的芯片转移装置,其特征在于,所述拾取组件还包括与所述拾取件连接的电致伸缩件,所述拾取件和所述电致伸缩件均设置在所述壳体内,所述壳体上设有与所述壳体内部连通的多个开口,所述拾取件正对所述开口,所述拾取组件通电后,所述电致伸缩件伸长并带动所述拾取件穿过所述开口,从而吸附所述芯片。3.如权利要求2所述的芯片转移装置,其特征在于,所述拾取件可变形,多个所述拾取件分别盖合在所述开口上,所述拾取组件通电后,所述电致伸缩件伸长并挤压所述拾取件,从而使得所述拾取件发生形变并穿过所述开口,进而吸附所述芯片。4.如权利要求3所述的芯片转移装置,其特征在于,所述拾取组件还包括设置在所述壳体内的导电件,所述拾取件、所述电致伸缩件以及所述导电件依次连接。5.如权利要求4所述的芯片转移装置,其特征在于,所述拾取件的厚度为50μm~100μm。6.如权利要求4所述的芯片转移装置,其特征在于,所述拾取件、所述导电件以及所述开口均为圆形、方形或三角形。7.如权利要求4所述的芯片转移装置,其特征在于,所述电致伸缩件的材料为聚偏二氟乙烯或聚偏二氟乙烯
技术研发人员:黄青青,张珂,
申请(专利权)人:深圳市思坦科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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