LED芯片制造技术

技术编号:41665107 阅读:19 留言:0更新日期:2024-06-14 15:24
本公开的实施例提供一种LED芯片,包括:驱动基板和微型LED芯片阵列,所述微型LED芯片阵列包括阵列排布的多个发光单元,以及设置在相邻发光单元之间的反射结构;发光单元至少包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;反射结构包括反射膜和开口结构,反射膜形成在开口结构的侧壁,开口结构的开口方向与发光单元的发光方向相反;反射结构的高度为H1,发光单元的发光层和所述第一半导体层的高度为H2,H1和H2满足:H1≥H2;发光层中沿第一方向出射的光经反射膜反射后沿发光单元的发光方向射出,第一方向与所述发光单元的发光方向垂直,实现从第一半导体和第二半导体的侧面发出的光子经过反射膜后沿发光单元的发光方向射出,降低LED芯片的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及发光以及相关,具体地,涉及适用于一种led芯片。


技术介绍

1、发光二极管(led)具有体积小、效率高和寿命长等优点,在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。

2、现有的led芯片根据电极的位置可以分为:倒装型芯片结构、垂直型芯片结构及正装型芯片结构。现有技术中,在通电后led芯片的量子阱光会从n极或p极发出,同时侧面也会出光,使得led芯片的整体功耗较高。


技术实现思路

1、本文中描述的实施例提供了一种led芯片,解决现有技术存在的问题。

2、根据本公开实施例,提供了一种led芯片,包括:驱动基板和微型led芯片阵列,所述微型led芯片阵列包括阵列排布的多个发光单元,以及设置在相邻发光单元之间的反射结构;

3、所述发光单元至少包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;

4、所述反射结构包括反射膜和开口结构,所述反射膜形成在所述开口结构的侧壁,所述开口结构的开口方向与所述发光单元的发光方向相反;

5、所述反射结构的高度为h1,所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片,其特征在于,包括:衬底基板和微型LED芯片阵列,所述微型LED芯片阵列包括阵列排布的多个发光单元,以及设置在相邻发光单元之间的反射结构;

2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述发光单元还包括远离所述第二半导体层一侧层叠设置的电流扩散层、电极层和绝缘层;

3.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述发光单元还包括远离所述第二半导体层一侧层叠设置的电流扩散层、电极层和绝缘层;

4.根据权利要求3所述的LED芯片,其特征在于,所述发光单元还包括:金属凸点,所述金属凸点设置于所述第一凹槽和所述第二凹槽处;

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【技术特征摘要】

1.一种led芯片,其特征在于,包括:衬底基板和微型led芯片阵列,所述微型led芯片阵列包括阵列排布的多个发光单元,以及设置在相邻发光单元之间的反射结构;

2.根据权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述发光单元还包括远离所述第二半导体层一侧层叠设置的电流扩散层、电极层和绝缘层;

3.根据权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述发光单元还包括远离所述第二半导体层一侧层叠设置的电流扩散层、电极层和绝缘层;

4.根据权利要求3所述的led芯片,其特征在于,所述发光单元还包括:金属凸点,所述金属凸点设置于所述第一凹槽和所述第二凹槽处;

5.根据权利要求2或3所述的led芯片,其特征在于,所述反射结构...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢锐邱成峰
申请(专利权)人:深圳市思坦科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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