一种干刻设备制造技术

本公开实施例提供的干刻设备，包括腔体、承载台和温控模块，且将承载台分割成多个承载单元，通过调节温控模块以调节各承载单元对应的温度，进而调节在该承载单元上的光刻胶与活性等离子发生反应的速率，改变待处理晶圆不同位置处光刻胶的处理速率，避免因待处理晶圆表面的光刻胶厚度的差异造成去除光刻胶均匀性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及半导体以及相关，具体地，涉及适用于一种干刻设备。

技术介绍

1、光刻胶的去除在ic制造工艺流程中占非常重要的地位，光刻胶去胶均匀性太差影响生产效率，进而影响整个产品的成品率。传统主流去胶方法采用湿法去胶，成本低效率高。随着技术不断迭代更新，越来越多ic制造商开始采用干法式去胶，干法式去胶工艺不同于传统的湿法式去胶工艺，它不需要浸泡化学溶剂，也不用烘干，去胶过程更容易控制，提高产品成品率。

2、现有技术中，当晶圆表面光刻胶均一性较差时，会导致部分区域去胶不干净或部分区域出现过刻(底层伤害)等问题。

技术实现思路

1、本文中描述的实施例提供了一种干刻设备，解决现有技术存在的问题。

2、根据本公开的内容，提供了一种干刻设备，包括：腔体、承载台和温控模块，所述承载台设置在所述腔体内，所述承载台用于承载待处理晶圆，所述承载台包括多个承载单元；

3、所述温控模块用于调节对应所述承载单元的温度。

4、在本公开一些实施方式中，所述温控模块包括多个支路和多个可调本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种干刻设备，其特征在于，包括：腔体、承载台和温控模块，所述承载台设置在所述腔体内，所述承载台用于承载待处理晶圆，所述承载台包括多个承载单元；

2.根据权利要求1所述的干刻设备，其特征在于，所述温控模块包括多个支路和多个可调节开度阀门，每一支路对应设置一个可调节开度阀门，每一支路对应设置于所述承载单元远离所述待处理晶圆一侧；

3.根据权利要求2所述的干刻设备，其特征在于，所述温控模块还包括控制单元、温度采集单元、量测单元和显示单元，所述控制单元分别与所述温度采集单元、所述量测单元和显示单元通信连接。

4.根据权利要求3所述的干刻设备，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种干刻设备，其特征在于，包括：腔体、承载台和温控模块，所述承载台设置在所述腔体内，所述承载台用于承载待处理晶圆，所述承载台包括多个承载单元；

2.根据权利要求1所述的干刻设备，其特征在于，所述温控模块包括多个支路和多个可调节开度阀门，每一支路对应设置一个可调节开度阀门，每一支路对应设置于所述承载单元远离所述待处理晶圆一侧；

3.根据权利要求2所述的干刻设备，其特征在于，所述温控模块还包括控制单元、温度采集单元、量测单元和显示单元，所述控制单元分别与所述温度采集单元、所述量测单元和显示单元通信连接。

4.根据权利要求3所述的干刻设备，其特征在于，所述控制单元用于接收所述温度采集单元采集的所述承载单元的温度信息和所述量测单元测量的所述待处理晶圆表面的光刻胶的厚度信息。

5.根据权利要求3所述的干刻设备，其特征在于，所述控制单元还用于根据所述承载单...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟军，黄婷，包贵芳，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：