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本公开实施例提供的干刻设备，包括腔体、承载台和温控模块，且将承载台分割成多个承载单元，通过调节温控模块以调节各承载单元对应的温度，进而调节在该承载单元上的光刻胶与活性等离子发生反应的速率，改变待处理晶圆不同位置处光刻胶的处理速率，避免因待处...
该专利属于深圳市思坦科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市思坦科技有限公司授权不得商用。

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