一种LED芯片结构及其制作方法技术

本发明专利技术是关于一种LED芯片结构及其制作方法。该LED芯片结构具有一种具有表面微结构的透明导电层，该微结构Ra值在nm量级，光线经过微结构的反射，可以有效改变传播方向，降低出光面的全反射几率，最终提升器件的光效。最终提升器件的光效。最终提升器件的光效。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片结构领域，尤其涉及一种LED芯片结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]发光器件是依靠有源层发射的光子来进行发光的，有源层发射的光子为各向等几率发射，因此在光子从出光方向发出时，在器件内部会进行多次反射，因此，如何提高发光器件内部的反射效率，进而增加器件光效是一个需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]为克服相关技术中存在的问题，本专利技术提供一种LED芯片结构及其制作方法，通过形成具有表面nm量级微结构的透明导电层，例如ITO层。使得光线经过微结构的反射，可以有效改变传播方向，降低出光面的全反射几率，最终提升器件的光效。
[0004]根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种LED芯片结构，包括：第一半导体层、第二半导体层、位于所述第一半导体层和第二半导体层之间有源层、与所述第一半导体层至少部分区域形成接触的透明导电层、与所述透明导电层形成电连接的第一导电层、与所述第一导电层形成电连接的第二导电层、与所述第二导电层形成电连接的电极，其中，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片结构，包括：第一半导体层、第二半导体层、位于所述第一半导体层和第二半导体层之间有源层，与所述第一半导体层至少部分区域形成接触的透明导电层，与所述透明导电层形成电连接的第一导电层、与所述第一导电层形成电连接的第二导电层、与所述第二导电层形成电连接的电极，所述第一导电层、第二导电层和电极共同组成第一电连接层，贯穿所述第一半导体层及有源层，并延伸到第二半导体层内部的凹陷，覆盖于所述第一半导体层部分表面且部分暴露于所述发光器件外部的第一绝缘层、覆盖于所述凹陷侧壁及所述第一电连接层一侧的第二绝缘层，部分接触于所述第二绝缘层表面并且与所述第二半导体层形成电连接的第三导电层、以及与所述第三导电层接触的支撑基板，其特征在于，所述透明导电层的至少一侧表面具有nm级别的微结构。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述微结构在透明导电层表面的分布为，无规则随机分布。3.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述透明导电层为金属氧化物材料。4.根据权利要求3所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述氧化物含有In、Sn、O元素。5.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层、第三导电层和电极均包含多层金属结构。6.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，当所述支撑基板为不导电材料时，所述第三导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王程刚，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：