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本发明是关于一种LED芯片结构及其制作方法。该LED芯片结构具有一种具有表面微结构的透明导电层，该微结构Ra值在nm量级，光线经过微结构的反射，可以有效改变传播方向，降低出光面的全反射几率，最终提升器件的光效。最终提升器件的光效。最终提升器...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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