侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法技术

一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法、半导体封装结构，侧向光模式控制高功率半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区的厚度递减。所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。集成度高。集成度高。

【技术实现步骤摘要】
侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体发光结构是以一定的半导体材料作为工作物质而产生受激发射作用的器件，其工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体材料的能带（导带与价带）之间，或者半导体材料的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用，因半导体发光器件体积小、电光转换效率高被广泛的使用。
[0003]现有技术中，高功率半导体器件无法兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术无法兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高的问题，从而提供一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法。
[0005]本专利技术提供一种侧向光模式控制高功率半导体器件，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区的厚度递减。2.根据权利要求1所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区背离所述有源层的表面呈台阶状；或者，电极注入区在垂直于出光方向上的截面上的形貌呈梯形；或者，电极注入区在垂直于出光方向上的截面上的形貌呈锥形；或者，所述电极注入区在垂直于出光方向上的截面上的形貌呈半圆形。3.根据权利要求1所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述电极注入区的中心区域厚度与所述电极注入区的边缘区域厚度的比值为2:1~20:1。4.根据权利要求1或3所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述电极注入区的中心区域厚度为2微米~10微米，所述电极注入区的边缘区域厚度为0.4微米~5微米。5.根据权利要求1所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述电极注入区背离所述有源层一侧表面的焊接层，在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自焊接层的中心区域至边缘区域，焊接层的厚度递增。6.根据权利要求5所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述正面电极层还包括非注入电极区，所述非注入电极区在所述慢轴方向上位于所述电极注入区的两侧；所述侧向光模式控制高功率半导体器件还包括：热补偿层，所述热补偿层位于所述非注入电极区朝向所述有源层的一侧且与非注入电极区接触；所述热补偿层的热导率小于焊接层的热导率。7.根据权利要求6所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述有源层和所述正面电极层之间的上限制层；所述电极注入区沿着慢轴方向上两侧的上限制层中分别具有凹槽，位于电极注入区底部且位于凹槽之间的上限制层构成脊形区；所述热补偿层位于所述凹槽中。8.根据权利要求6或7所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述热补偿层的厚度为1微米~10微米。9.根据权利要求6或7所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述热补偿层的材料包括氧化硅。10.根据权利要求6或7所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述热补偿层包括在慢轴方向上排布的第一补偿区和第二补偿区，所述第一补偿区至所述电极注入区的距离小于所述第二补偿区至所述电极注入区的距离；第二补偿区的厚度大于第一补偿区的厚度。11.根据权利要求10所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述第一补偿区背离所述有源层的一侧表面呈阶梯形。
12.根据权利要求6或7所述的侧向光模式控制高功率半导体器件，其特征在于，所述热补偿层包括若干第一子补偿层和若干第二子补偿层，第一子补偿层的热导率大于第二子补偿层的热导率，第一子补偿层和第二子补偿层在垂直于半导体衬底层的方向上交替间隔排布。13.一种侧向光模式控制高功率半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层上形成有源层；在所述有源层背离所述半导体衬底层的一侧形成正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，刘武灵，谭少阳，王邦国，赵武，廖新胜，
申请(专利权)人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：