一种刻蚀方法技术

本发明专利技术揭示了一种刻蚀方法，包括：步骤S1：提供基底结构，所述基底结构的材料为

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种刻蚀方法。

技术介绍

[0002]在半导体微纳制造中，通过光刻技术将掩模版上的图案转移到光刻胶上，然后利用干法刻蚀将光刻胶上的图案转移到半导体衬底上，是一种广泛被用来制造各种微纳器件的通用方法。
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族化合物半导体材料如GaAs、GaN和InP等半导体在以光刻后的光刻胶作为掩膜图案进行干法刻蚀时，其选择比通常较低，难以在一定光刻胶厚度下实现较深的半导体材料刻蚀，也就是说刻蚀图形的高宽比较小。目前为了提高光刻胶和
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族化合物半导体材料的刻蚀选择比，经常通过增加一层介质层如SiN、SiO2和Al2O3等硬膜进行掩膜刻蚀，然而上述的方法会导致器件的制备工艺流程复杂、成本增加并且产品的生产效率及良率降低，且刻蚀图形的高宽比还有待提高。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术要解决的技术问题在于刻蚀图形的高宽比较小的问题，从而提供一种刻蚀方法。
[0004]本专利技术提供一种刻蚀方法，包括：步骤S1：提供基底结构，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供基底结构，所述基底结构的材料为
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族化合物半导体材料；步骤S2：在所述基底结构上形成初始光刻胶层；步骤S3：对所述初始光刻胶层图形化以形成光刻胶层，所述光刻胶层包括顶部区域；步骤S4：采用碳氟基气体对光刻胶层的顶部区域进行等离子处理，以使光刻胶层的顶部区域的硬度大于所述顶部区域下方的光刻胶层的硬度；步骤S5：等离子处理之后，以光刻胶层为掩膜刻蚀基底结构；步骤S6：重复步骤S4和步骤S5直至在基底结构中形成目标凹槽。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，重复步骤S4和步骤S5的次数为1次~20次。3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在步骤S3中，顶部区域的高度为10nm~100...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刘晶，刘恒，王俊，赵武，李顺峰，
申请(专利权)人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：