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一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法、半导体封装结构，侧向光模式控制高功率半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式...
该专利属于苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司授权不得商用。

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