一种UVC外延结构及UVC芯片制造技术

本实用新型专利技术提出了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层在通电后发出可见光。本实用新型专利技术所提出的UVC外延结构通过增加能够发出可见光的UVA MQW层，能够直观看出UVC芯片是否能够正常工作。也可以在正常使用的过程中，通过UVA MQW层是否有持续发光来判别UVC芯片是否已经失效，避免出现UVC LED已失效而未发现的问题。通过本实用新型专利技术的UVC外延结构能够从生产到使用的整个过程判断UVC芯片正常工作与否，结构简单，成本低廉。成本低廉。成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种UVC外延结构及UVC芯片


[0001]本申请涉及电子元件性能检测领域，尤其涉及一种UVC外延结构及UVC芯片。

技术介绍

[0002]近年来，UVC LED市场呈现爆发式增长，尤其是芯片市场热火朝天，一度供不应求。UVC芯片作为UVC LED的核心器件，保障其性能尤为重要。
[0003]当前条件下，常规UVC芯片的外延结构产品点测后无法直接看到可见光，无法简单地确认LED结构是否正常工作。此时，一旦UVC芯片出现异常或损坏的情况，技术人员和用户也无法及时获知，给日常工作和使用带来困扰。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题之一，本技术提供了一种UVC外延结构及UVC芯片。
[0005]本技术实施例第一方面提供了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层在通电后发出可见光。
[0006]优选地，所述UVA MQW层的发出可见光的波长为360nm
‑
430nm。
[0007]优选地，所述UVA MQW层的阱层厚度为10A至50A。
[0008]优选地，所述UVA MQW层的垒层厚度为10A至50A。
[0009]优选地，所述UVA MQW层的阱垒对数为一对或两对。
[0010]优选地，所述UVC MQW层的出光方向与所述UVA MQW层的出光方向为同向。
[0011]优选地，所述UVC MQW层的出光方向与所述UVA MQW层的出光方向为反向。
[0012]优选地，所述UVA MQW层的AL掺杂量低于所述UVC MQW层的AL掺杂量，且所述UVA MQW层的AL掺杂量处于预设的所述P型ALGAN层的AL掺杂量的浮动区间内。
[0013]本技术实施例第二方面提供了一种UVC芯片，所述UVC芯片包括本技术实施例第一方面所述的UVC外延结构、P电极和N电极，所述P电极设置在所述P型ALGAN层上，所述N电极设置在所述N型ALGAN层上。
[0014]本技术的有益效果如下：本技术所提出的UVC外延结构通过增加能够发出可见光的UVA MQW层，能够直观看出UVC芯片是否能够正常工作。也可以在正常使用的过程中，通过UVA MQW层是否有持续发光来判别UVC芯片是否已经失效，避免出现UVC LED已失效而未发现的问题。通过本技术的UVC外延结构能够从生产到使用的整个过程判断UVC芯片正常工作与否，结构简单，成本低廉。
附图说明
[0015]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
MQW层效率。
[0031]本实施例所提出的UVC外延结构通过增加能够发出可见光的UVA MQW层，能够直观看出UVC芯片是否能够正常工作。也可以在正常使用的过程中，通过UVA MQW层是否有持续发光来判别UVC芯片是否已经失效，避免出现UVC LED已失效而未发现的问题。通过本实施例的UVC外延结构能够从生产到使用的整个过程判断UVC芯片正常工作与否，结构简单，成本低廉。
[0032]实施例2
[0033]如图2所示，本实施例提出了一种UVC芯片，所述UVC芯片包括UVC外延结构、P电极和N电极，所述P电极设置在所述P型ALGAN层上，所述N电极设置在所述N型ALGAN层上。其中，UVC外延结构的具体组成及工作原理可参照实施例1所记载的内容，本实施例不再进行赘述。
[0034]显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种UVC外延结构，其特征在于，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层在通电后发出可见光。2.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的发出可见光的波长为360nm
‑
430nm。3.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的阱层厚度为10A至50A。4.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚钦，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：