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一种UVC外延结构及UVC芯片制造技术
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文档序号:33775735
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本实用新型提出了一种UVC外延结构,所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层,所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间,所述UVC MQW层的下表面依次铺...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。
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