发光二极管外延片及其制备方法技术

一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括：衬底、以及在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层，所述多量子阱层包括预设周期个依次层叠的插入层、量子阱层以及量子垒层，其中，所述插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺杂Mg的GaN层，所述第二子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层为InGaN层。本发明专利技术可以使量子阱内In分布更均匀，减少In的偏析，提升外延片内波长均匀性，且可以减少电子溢流，增加量子阱中载流子的复合几率。增加量子阱中载流子的复合几率。增加量子阱中载流子的复合几率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。

技术介绍

[0002]GaN基发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)以其高效，节能，环保等优势，受到广泛的关注和研究。
[0003]目前商业化的高效 GaN 基发光二极管一般均采用InGaN/GaN 多量子阱作为有源区。作为GaN发光二极管的核心结构，要获得高的In组分，需要低的生长温度，低温下NH3的裂解率很低，这导致了高质量外延生长上的困难。并且InGaN量子阱层和GaN量子垒层本身存在很大的晶格失配，所以导致多量子阱内极化效应较大，造成较多的非辐射复合产生，致使In组分偏析严重。因此，GaN基发光二极管一直存在发光不均匀，发光波长分布不均匀，发光效率低的问题，这对GaN基发光二极管进一步发展造成了阻碍。
[0004]如何获得高质量多量子阱层，增加GaN基发光二极管发光效率，提升发光波长和亮度均匀性一直是研究的重点问题。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，包括：衬底、以及在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，其特征在于，所述多量子阱层包括预设周期个依次层叠的插入层、量子阱层以及量子垒层；其中，所述插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺杂Mg的GaN层，所述第二子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层为InGaN层。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度均为1~3nm。3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层中，Mg的掺杂含量为0.1~0.2。4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层为In
y
Ga1‑
y
N，其中y为0.05~0.1。5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡层为GaN和AlGaN的超晶格结构，所述电子阻挡层的总厚度为30~100nm。6.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型GaN层为掺杂Si的GaN层，Si的掺杂浓度为1

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，程金连，印从飞，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：