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一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括：衬底、以及在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层，所述多量子阱层包括预设周期个依次层叠的插入层、量子阱层以及量子垒层...
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