本发明专利技术提供一种GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法，包括依次层叠设置的P型电子阻挡层、P覆盖层、P接触层，P接触层的上表面处开设有两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽外侧的P接触层的上表面处开设有凹槽，凹槽深度等于沟槽深度，P型电子阻挡层和P接触层的上表面、沟槽与凹槽的内底壁和内侧壁设有第一钝化层，脊条上表面处的第一钝化层开设第一通孔，在第一钝化层和脊条的上表面处设有P电极；或者，凹槽和沟槽内均填充有第二金属层，P接触层、第二金属层的上表面设置有第二钝化层，脊条上表面处的第二钝化层开设第二通孔，在第二钝化层和脊条的上表面处设置有P电极。其改进散热，降低封装要求。降低封装要求。降低封装要求。
【技术实现步骤摘要】
GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法
[0001]本专利技术涉及激光二极管
，尤其涉及一种GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法。
技术介绍
[0002]边发射的激光二极管，为了形成良好的脊波导结构，在脊的侧面覆盖光学绝缘层SiO2，可以形成光学限制，让电流从脊上注入形成高电流密度，达到激光阈值；为了形成较好的光学限制，脊两侧的外延层会蚀刻掉，造成镀完电极后，脊位置的电极更高，不利于共晶封装。目前的方式通常是采用钝化层结构进行加厚，与脊形成相近高度，改进封装的压力平衡，但散热性较差。
技术实现思路
[0003]基于此，本专利技术的目的在于提供一种GaN基激光二极管的脊波导组件，改进散热，降低封装要求。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0004]一种GaN基激光二极管的脊波导组件，包括P型电子阻挡层、P覆盖层和P接触层；
[0005]所述P覆盖层、P接触层依次层叠设置在所述P型电子阻挡层上，所述P接触层的上表面处开设有两条平行的沟槽，所述沟槽的深度等于所述P接触层的厚度与所述P覆盖层的厚度之和；两条平行的沟槽之间形成脊条，所述沟槽的远离所述脊条的一侧为沟槽外侧；
[0006]所述沟槽外侧的所述P接触层的上表面处开设有凹槽，所述凹槽的深度等于所述沟槽的深度，所述P型电子阻挡层的上表面、所述P接触层的上表面、所述沟槽的内底壁和内侧壁、所述凹槽的内底壁和内侧壁设置有第一钝化层，脊条上表面处的所述第一钝化层开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有P接触电极层，在所述第一钝化层和P接触电极层的上表面设置有作为P电极的第一金属层；
[0007]或者，所述沟槽外侧的所述P接触层的上表面处开设有凹槽，所述凹槽的深度等于所述沟槽的深度，所述凹槽和所述沟槽内均填充有第二金属层，所述P接触层的上表面、第二金属层的上表面设置有第二钝化层，脊条上表面处的所述第二钝化层开设有第二通孔，所述第二通孔内设置有P接触电极层，在所述第二钝化层和P接触电极层的上表面设置有作为P电极的第三金属层。
[0008]进一步，所述凹槽的数量为多个，多个所述凹槽分布在所述脊条的两侧。
[0009]进一步，所述凹槽的形状为圆形、方形或三角形。
[0010]进一步，所述第一通孔的边界小于所述脊条上表面的边界；或者，所述第二通孔的边界小于所述脊条上表面的边界。
[0011]进一步，所述第二金属层的厚度与所述沟槽的深度相同或相近。
[0012]进一步，所述的GaN基激光二极管的脊波导组件还包括P波导层，所述P波导层叠设在所述P型电子阻挡层的下表面。
[0013]根据本专利技术的另一方面，提供了一种GaN基激光二极管，包括上述任一技术方案所
述的GaN基激光二极管的脊波导组件。
[0014]根据本专利技术的另一方面，还提供了一种GaN基激光二极管的制造方法，包括如下步骤：
[0015]S11、在P接触层的上表面定义蚀刻区域，制作图形化的光刻胶，以所述图形化的光刻胶为掩模，在P接触层的上表面蚀刻两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽的深度等于P接触层的厚度与P覆盖层的厚度之和；在沟槽外侧的P接触层的上表面蚀刻凹槽，凹槽的深度与沟槽的深度相同；沟槽的远离脊条的一侧为沟槽外侧；
[0016]S12、去除图形化的光刻胶，在P型电子阻挡层的上表面、P接触层的上表面、沟槽的内底壁和内侧壁、凹槽的内底壁和内侧壁生长第一层SiO2而形成第一钝化层；
[0017]S13、在脊条上表面的第一层SiO2上制作图形化的光刻胶，以所述图形化的光刻胶为掩模，蚀刻掉脊条顶面处的部分第一层SiO2形成第一通孔，以暴露脊条的部分顶面；之后去除图形化的光刻胶；
[0018]S14、去除图形化的光刻胶，在所述第一通孔内沉积金属薄膜而形成P接触电极层；或者，在所述第一通孔内沉积金属薄膜而形成P接触电极层，去除图形化的光刻胶；
[0019]S15、在第一钝化层和P接触电极层的上表面生长作为P电极的第一金属层；
[0020]或者，
[0021]S21、在P接触层的上表面定义蚀刻区域，制作图形化的光刻胶，以所述图形化的光刻胶为掩模，在P接触层的上表面蚀刻两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽的深度等于P接触层的厚度与P覆盖层的厚度之和；在沟槽外侧的P接触层的上表面蚀刻凹槽，凹槽的深度与沟槽的深度相同；沟槽的远离脊条的一侧为沟槽外侧；
[0022]S22、对凹槽和沟槽内进行金属镀膜而填充凹槽和沟槽，使得所述凹槽和沟槽内形成第二金属层；
[0023]S23、去除图形化的光刻胶，在P接触层的上表面、第二金属层的上表面、脊条的上表面生长第一层SiO2而形成第二钝化层；
[0024]S24、在脊条上表面处的第二钝化层上制作图形化的光刻胶，以所述图形化的光刻胶为掩模，蚀刻掉脊条顶面处的部分第一层SiO2形成第二通孔，以暴露脊条的部分顶面；
[0025]S25、在所述第二通孔内沉积金属薄膜而形成P接触电极层，之后去除图形化的光刻胶；或者，去除图形化的光刻胶，在所述第二通孔内沉积金属薄膜而形成P接触电极层；
[0026]S26、在第二钝化层和P接触电极层的上表面生长作为P电极的第三金属层。
[0027]本专利技术的有益效果是：
[0028]本专利技术的GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法，制作脊的过程中，靠近脊的两侧制作平行沟槽，并覆盖绝缘光学覆盖层，远离脊的外延层图形化并填充散热金属，与脊形成相近高度，脊的两侧可以形成等高电极，改善共晶封装，降低封装要求，改进散热，扩大应用。
附图说明
[0029]图1为本专利技术一实施例的GaN基激光二极管的脊波导组件形成过程的示意图；
[0030]图2为本专利技术另一实施例的GaN基激光二极管的脊波导组件形成过程的示意图；
[0031]图3为图1所示GaN基激光二极管的脊波导组件中凹槽一实施例的分布示意图；
[0032]图4为图2所示GaN基激光二极管的脊波导组件中凹槽一实施例的分布示意图；
[0033]图5为本专利技术的GaN基激光二极管的脊波导组件一实施例的立体示意图；
[0034]图中，
[0035]101 P波导层；
[0036]102 P型电子阻挡层；
[0037]103 P覆盖层；
[0038]104 P接触层；
[0039]105 沟槽；
[0040]106 凹槽；
[0041]107 第一钝化层；
[0042]108 P电极；
[0043]109 P接触电极层；
[0044]110 第二金属层；
[0045]111 第二钝化层。
具体实施方式
[0046]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本专利技术的GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种GaN基激光二极管的脊波导组件，其特征在于，包括P型电子阻挡层(102)、P覆盖层(103)和P接触层(104)；所述P覆盖层(103)、P接触层(104)依次层叠设置在所述P型电子阻挡层(102)上，所述P接触层(104)的上表面处开设有两条平行的沟槽(105)，所述沟槽(105)的深度等于所述P接触层(104)的厚度与所述P覆盖层(103)的厚度之和；两条平行的沟槽(105)之间形成脊条，所述沟槽(105)的远离所述脊条的一侧为沟槽外侧；所述沟槽外侧的所述P接触层(104)的上表面处开设有凹槽(106)，所述凹槽(106)的深度等于所述沟槽(105)的深度，所述P型电子阻挡层(102)的上表面、所述P接触层(104)的上表面、所述沟槽(105)的内底壁和内侧壁、所述凹槽(106)的内底壁和内侧壁设置有第一钝化层(107)，脊条上表面处的所述第一钝化层(107)开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有P接触电极层(109)，在所述第一钝化层(107)和P接触电极层(109)的上表面设置有作为P电极(108)的第一金属层；或者，所述沟槽外侧的所述P接触层(104)的上表面处开设有凹槽(106)，所述凹槽(106)的深度等于所述沟槽(105)的深度，所述凹槽(106)和所述沟槽(105)内均填充有第二金属层(110)，所述P接触层(104)的上表面、第二金属层(110)的上表面设置有第二钝化层(111)，脊条上表面处的所述第二钝化层(111)开设有第二通孔，所述第二通孔内设置有P接触电极层(109)，在所述第二钝化层(111)和P接触电极层(109)的上表面设置有作为P电极(108)的第三金属层。2.根据权利要求1所述的GaN基激光二极管的脊波导组件，其特征在于，所述凹槽(106)的数量为多个，多个所述凹槽(106)分布在所述脊条的两侧。3.根据权利要求1所述的GaN基激光二极管的脊波导组件，其特征在于，所述凹槽(106)的形状为圆形、方形或三角形。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的GaN基激光二极管的脊波导组件，其特征在于，所述第一通孔的边界小于所述脊条上表面的边界；或者，所述第二通孔的边界小于所述脊条上表面的边界。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述的GaN基激光二极管的脊波导组件，其特征在于，所述第二金属层(110)的厚度与所述沟槽(105)的深度相同或相近。6.根据权利要求1
‑
3任一项所述的GaN基激光二极管的脊波导组件，其特征在于，还包括P波导层(101)，所述P波导层(101)叠设在所述P型电子阻挡层(102)的下表面。7.一种GaN基激光二极管，其特征在于，包括权利要求1
‑
6任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴烈飞，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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