本发明公开了一种具有层间激子跃迁层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域；为了解决目前氮化物半导体激光器存在缺陷问题；从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下波导层和有源层之间，以及...

本发明提出了一种半导体绿光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层之间具有热膨胀系数梯度、介电常数梯度和弹性系数C

本发明提供了一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有光学偏振插入层，相比于现有技术...

本发明提供了一种设有电子自旋态层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有电子自旋态层，相比于现有技术，有...

本发明提供了一种半导体激光元件，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述有源层由阱层和垒层组成，基于阱层与垒层厚度设置的关系在有源层上形成斜率效率提升结构。本发明提供的一种半导体激光元...

本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层，所述n型半导体层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层之间具有介电常数梯度、折射率系数梯度和禁带宽度梯度。本发明通过设计半导体发...

本发明提出了一种半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化...

本发明公开了一种具有双曲色散层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域；为了解决现有技术中全固态半导体激光器存在缺陷问题；从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层和下波导层之间、...

本实用新型提出了一种半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、超晶格层、浅量子阱层、量子阱层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层、量子阱层、浅量子阱层和超晶格层形成空穴注入与量子限制结构。本实用新...

本发明提供了一种设有析氢氧层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层的上方设有析氢氧层，用于吸附上限制层的氢原子和氧原子并进行脱附,通过异质...

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有层间相干空穴隧穿层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和/或有源层与下波导层之间具有层间相干空穴隧...

本发明提供了一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有俄歇辅助光发射层；俄歇辅助光...

本发明提出了一种具有光场损耗控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上波导层和下波导层形成光场损耗控制层；上波导层和下波导层中含有In，且In组分含量均小于有源层中的...

本发明提供了一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层的上方设有弗兰克尔缺陷层；弗兰克尔缺陷层在上限制层的上方，弗兰克尔...

本发明提供了一种设有电流诱导自旋极化层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，电子阻挡层与上波导层之间和上限制层与电子阻挡层之间设有电流诱导自旋极化...

本发明提供了一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与下限制层之间和下波导层与有源层之间设有范德瓦斯非线性层。所述范...

本发明提出了一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于所述衬底和下限制层...

本发明提出了一种GaN基激光二极管及其制作方法，所述GaN基激光二极管包括自上至下依次设置的P

本发明提供了一种设有析氢层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层的上方设有析氢层，用于吸附上限制层的氢原子并进行脱附,通过强界面耦合效应调...

本发明提供了一种设有热电整流层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，衬底与下限制层之间和下限制层与下波导层之间设有热电整流层，热电整流层使垂直其注...